未命名 (1) (8) (1)
ประตู
บริษัท JIANGSU DONGHAI SEMICODUCTOR CO. , LTD
คุณอยู่ที่นี่: บ้าน » สินค้า » โมดูล IGBT » กิ่งไม้ » 40a 1200V Half Bridge โมดูล IgbtModule DGA40H120M2T 34 มม.

การโหลด

แบ่งปันไปที่:
ปุ่มแบ่งปัน Facebook
ปุ่มแบ่งปัน Twitter
ปุ่มแชร์สาย
ปุ่มแชร์ WeChat
ปุ่มแบ่งปัน LinkedIn
ปุ่มแชร์ Pinterest
ปุ่มแบ่งปัน whatsapp
ปุ่มแชร์แชร์

40A 1200V โมดูลสะพานครึ่ง IGBTMODUL DGA40H120M2T 34 มม.

ทรานซิสเตอร์สองขั้วเกทที่หุ้มฉนวนเหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีขั้นสูงและการออกแบบเทคโนโลยีฟิลด์สต็อปให้ VCESAT ที่ยอดเยี่ยมและความเร็วในการสลับ, ชาร์จประตูต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS
ความพร้อม:
ปริมาณ:
สอบถาม เพิ่มลงในตะกร้า

  • DGA40H120M2T

  • wxdh

  • 34 มม.

  • dga40h120m2t-rev1.0.pdf

  • 1200V

  • 40A

40A 1200V Half Bridge โมดูล

1 คำอธิบาย 

ทรานซิสเตอร์สองขั้วเกทที่หุ้มฉนวนเหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีขั้นสูงและการออกแบบเทคโนโลยีฟิลด์สต็อปให้ VCESAT ที่ยอดเยี่ยมและความเร็วในการสลับ, ชาร์จประตูต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS 


2 คุณสมบัติ 

●เทคโนโลยีสนามเพลาะ FS ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิบวก 

●แรงดันความอิ่มตัวต่ำ: VCE (SAT), typ = 2.25V @ IC = 100A และ TJ = 25 ° C 

●ความสามารถในการหิมะถล่มที่เพิ่มขึ้นอย่างมาก 


3 แอปพลิเคชัน

การเชื่อม 

 UPS 

อินเวอร์เตอร์สาม-Leve 

 AC และ DC Servo Drive Amplifier


พิมพ์ VCE ไอซี vcesat, tj = 25 ℃ TJOP บรรจุุภัณฑ์
DGA40H120M2T 1200V 40a (TJ = 100 ℃) 1.75V (TYP) 150 ℃ 34 มม.


การดาวน์โหลด DGA100H170M2T-REV1.0.pdf

ก่อนหน้า: 
ต่อไป: 
โมดูล IGBT
  • บริษัท JIANGSU DONGHAI SEMICODUCTOR CO. , LTD
  • ลงทะเบียนเพื่อรับจดหมายข่าวของเรา
  • เตรียมพร้อมสำหรับ
    การลงทะเบียนในอนาคตเพื่อรับจดหมายข่าวของเราเพื่อรับการอัปเดตโดยตรงไปยังกล่องจดหมายของคุณ
    ส่ง
ลิขสิทธิ์© 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co. , Ltd Technology โดย leadong.com