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40A 1200V Módulo de medio puente Igbtmodule DGA40H120M2T 34 mm

Este transistor bipolar de compuerta aislada utilizaron el diseño avanzado de tecnología de zanja y campo de campo, proporcionó una excelente VseSAT y velocidad de conmutación, baja carga de puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
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Módulo de medio puente de 40A 1200V

1 descripción 

Este transistor bipolar de compuerta aislada utilizaron el diseño avanzado de tecnología de zanja y campo de campo, proporcionó una excelente VseSAT y velocidad de conmutación, baja carga de puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características 

● Tecnología de la trinchera FS, coeficiente de temperatura positiva 

● Bajo voltaje de saturación: VCE (SAT), TYP = 2.25V @ IC = 100A y TJ = 25 ° C 

● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada 


3 aplicaciones

 Soldadura 

 UPS 

 Inverter de tres partidos 

 Amplificador de accionamiento de servo de CA y DC


Tipo VCE Beer Vcesat, TJ = 25 ℃ TJOP Paquete
DGA40H120M2T 1200V 40a (TJ = 100 ℃) 1.75V (typ) 150 ℃ 34 mm


descargar DGA100H170M2T-REV1.0.PDF

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