未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » » IGBT modul » Pim » 40A 1200V MODUL HALF BRIDGE IGBTModule DGA40H120M2T 34MM

načítání

Sdílet na:
Tlačítko sdílení Facebooku
tlačítko sdílení Twitteru
Tlačítko sdílení linky
Tlačítko sdílení WeChat
tlačítko sdílení LinkedIn
Tlačítko sdílení Pinterestu
tlačítko sdílení WhatsApp
Tlačítko sdílení Sharethis

40A 1200V MODUL HALF BRIDGE IGBTModule DGA40H120M2T 34MM

Tyto izolované bipolární tranzistor brány používaly technologický design Advanced Trench a Fieldstop, poskytoval vynikající rychlost VCESAT a přepínání, nízký náboj brány. Který v souladu se standardem ROHS.
Dostupnost:
Množství:
Zeptejte se Přidejte do koše

40A 1200V MODUL HALF BRIDGE

1 Popis 

Tyto izolované bipolární tranzistor brány používaly technologický design Advanced Trench a Fieldstop, poskytoval vynikající rychlost VCESAT a přepínání, nízký náboj brány. Který v souladu se standardem ROHS. 


2 funkce 

● Technologie příkopu FS, koeficient pozitivní teploty 

● Nízké nasycené napětí: VCE (SAT), TYP = 2,25V @ IC = 100A a TJ = 25 ° C 

● Extrémně vylepšená schopnost laviny 


3 aplikace

 Svařování 

 UPS 

 Střídavý střídač 

 AC a DC Servo Drive zesilovač


Typ VCE IC VCESAT, TJ = 25 ℃ Tjop Balík
DGA40H120M2T 1200V 40a (TJ = 100 ℃) 1,75V (typ) 150 ℃ 34 mm


Stáhnout DGA100H170M2T-REV1.0.pdf

Předchozí: 
Další: 
IGBT modul
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty
    Předložit
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com