שַׁעַר
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., בע'מ
אתה כאן: בַּיִת » מוצרים » מודול IGBT » פים » 40A 1200V מודול חצי גשר IGBTMODULE DGA40H120M2T 34 מ'מ

טְעִינָה

שתף ל:
כפתור שיתוף פייסבוק
כפתור שיתוף טוויטר
כפתור שיתוף קו
כפתור שיתוף WeChat
כפתור שיתוף לינקדאין
כפתור שיתוף Pinterest
כפתור שיתוף WhatsApp
כפתור השיתוף של שיתוף

40A 1200V מודול גשר חצי גשר IGBTMODULE DGA40H120M2T 34 מ'מ

טרנזיסטור דו -קוטבי מבודד זה השתמשו בתכנון טכנולוגי טרנץ 'ותעלות מתקדמות, סיפקו VCESAT מעולים ומהירות מיתוג, מטען שער נמוך. אשר תואם את תקן ה- ROHS.
זמינות:
כמות:
  • DGA40H120M2T

  • WXDH

  • 34 מ'מ

  • DGA40H120M2T-REV1.0.PDF

  • 1200 וולט

  • 40 א

40A מודול חצי גשר חצי

תיאור אחד 

טרנזיסטור דו -קוטבי מבודד זה השתמשו בתכנון טכנולוגי טרנץ 'ותעלות מתקדמות, סיפקו VCESAT מעולים ומהירות מיתוג, מטען שער נמוך. אשר תואם את תקן ה- ROHS. 


2 תכונות 

● טכנולוגיית טרנץ 'FS, מקדם טמפרטורה חיובי 

● מתח רוויה נמוך: VCE (SAT), TYP = 2.25V @ IC = 100A ו- TJ = 25 ° C 

● יכולת מפולת משופרת במיוחד 


3 יישומים

 ריתוך 

 UPS 

 מהפך תלת-לייב 

מגבר כונן סרוו AC ו- DC


סוּג VCE IC VCESAT, TJ = 25 ℃ TJOP חֲבִילָה
DGA40H120M2T 1200 וולט 40a (TJ = 100 ℃) 1.75V (טיפוס) 150 ℃ 34 מ'מ


קוֹדֵם: 
הַבָּא: 
  • הירשם לניוזלטר שלנו
  • תתכונן
    להירשם לעתיד לניוזלטר שלנו כדי לקבל עדכונים ישר לתיבת הדואר הנכנס שלך