geçit
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Buradasınız: Ev » Ürünler » IGBT modülü » Pim » 40A 1200V Yarım Köprü Modülü IGBTMODULE DGA40H120M2T 34mm

yükleme

Paylaşın:
Facebook Paylaşım Düğmesi
Twitter Paylaşım Düğmesi
Hat Paylaşım Düğmesi
WeChat Paylaşım Düğmesi
LinkedIn Paylaşım Düğmesi
Pinterest Paylaşım Düğmesi
WhatsApp Paylaşım Düğmesi
sharethis paylaşım düğmesi

40A 1200V Yarım Köprü Modülü IGBTMODULE DGA40H120M2T 34mm

Bu yalıtımlı geçit bipolar transistör, gelişmiş hendek ve saha stop teknolojisi tasarımı kullandı, mükemmel vcesat ve anahtarlama hızı, düşük kapı şarjı sağladı. ROHS standardı ile uyumludur.
Kullanılabilirlik:
Miktar:

40A 1200V Yarım Köprü Modülü

1 Açıklama 

Bu yalıtımlı geçit bipolar transistör, gelişmiş hendek ve saha stop teknolojisi tasarımı kullandı, mükemmel vcesat ve anahtarlama hızı, düşük kapı şarjı sağladı. ROHS standardı ile uyumludur. 


2 Özellik 

● FS hendek teknolojisi, pozitif sıcaklık katsayısı 

● Düşük doygunluk voltajı: VCE (SAT), tip = 2.25V @ IC = 100A ve TJ = 25 ° C 

● Son derece gelişmiş çığ yeteneği 


3 Uygulama

 Kaynak 

 Ups 

 Üç-Ceviz İnvertör 

 AC ve DC Servo Sürücü Amplifikatörü


Tip VCE İc VCCEAT, TJ = 25 ℃ Tjop Paketi
DGA40H120M2T 1200V 40A (TJ = 100 ℃) 1.75V (tip) 150 ℃ 34 mm


Öncesi: 
Sonraki: 
  • Bültenimize kaydolun
  • Geleceğe Hazır Olun
    Bültenimize doğrudan gelen kutunuza güncellemeler almak için kaydolun