kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Itt vagy: Otthon » Termékek » IGBT modul » Piom » 40A 1200V Half Bridge modul IGBTModule DGA40H120M2T 34mm

terhelés

Ossza meg:
Facebook megosztási gomb
Twitter megosztási gomb
vonalmegosztó gomb
WeChat megosztási gomb
LinkedIn megosztási gomb
Pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztás gomb
Sharethis megosztási gomb

40A 1200V Half Bridge modul IGBTModule DGA40H120M2T 34mm

Ezek a szigetelt kapu bipoláris tranzisztor fejlett árok- és mezőstop technológiai kialakítást használt, kiváló vCesat és váltási sebességet nyújtott, alacsony kapu töltéssel. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
Elérhetőség:
mennyiség:

40A 1200V Half Bridge modul

1 Leírás 

Ezek a szigetelt kapu bipoláris tranzisztor fejlett árok- és mezőstop technológiai kialakítást használt, kiváló vCesat és váltási sebességet nyújtott, alacsony kapu töltéssel. Amely megfelel a ROHS szabványnak. 


2 Jellemzők 

● FS árok technológiája, pozitív hőmérsékleti együttható 

● Alacsony telítettségi feszültség: VCE (SAT), TYP = 2,25 V @ IC = 100A és TJ = 25 ° C 

● Rendkívül továbbfejlesztett lavina képesség 


3 alkalmazás

 Hegesztés 

 UPS 

 Három szintű frekvenciaváltó 

 AC és DC Servo Drive erősítő


Beír Vce IC VCesat, tJ = 25 ℃ Tjop Csomag
DGA40H120M2T 1200 V -os 40a (TJ = 100 ℃) 1,75 V (typ) 150 ℃ 34 mm


Előző: 
Következő: 
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • Készüljön fel a jövőre,
    regisztráljon hírlevelünkre, hogy egyenesen frissítéseket kapjon a postaládájába