Ezek az N-csatornás bővítési módú teljesítmény-mosfetek fejlett árok-technológiát alkalmaztak, kiváló Rdson-t és alacsony kaputöltést biztosítottak.Ami megfelel a RoHS szabványnak.

Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett vdmosfeteket az önbeálló síktechnológia biztosítja, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és növeli a lavina energiáját.Ami megfelel a RoHS szabványnak.A TO-220F 2000 V RMS névleges szigetelési feszültséget biztosít mindhárom kivezetéstől a külső hűtőbordáig.A TO-220F sorozat megfelel az UL szabványoknak.

Ezek a P-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-ek, a használt fejlett ároktechnológia és -kialakítás kiváló Rdson-t biztosítanak alacsony kaputöltéssel.Ami megfelel a RoHS szabványnak.

A ROUM Field Stop Trench IGBT-k alacsony kapcsolási veszteséget, magas energiahatékonyságot és rövidzárlati robusztusságot kínálnak.
Olyan alkalmazásokhoz tervezték, mint a motorvezérlés, a szünetmentes tápegységek (UPS), az általános inverterek.

A DongHai szabadalmaztatott Trench dizájnját és fejlett FS technológiáját használva a 650 V FS IGBT kiváló kapcsolási teljesítményt, nagy lavinaállóságot és egyszerű párhuzamos működést kínál.

Két középső lapos Schottky egyenirányító nagyfrekvenciás szerverekhez és távközlési bázisállomásokhoz SMPS.TO-ba csomagolva A csomagon belül ez az eszköz egyesíti a nagy névleges áramerősséget és az alacsony hangerőt, hogy növelje az alkalmazás megbízhatóságát és teljesítménysűrűségét.A TO-220F 2000 V RMS névleges szigetelési feszültséget biztosít mindhárom kivezetéstől a külső hűtőbordáig.

60A, 300V ultragyors diódák Alacsony előremenő feszültségeséssel rendelkeznek, és sík, szilícium-nitrid passzivált, ion-beültetett, epitaxiális felépítésűek.Ezeket az eszközöket energiakormányzó/rögzítő diódaként és egyenirányítóként való használatra tervezték különféle kapcsolóüzemű tápegységekben és egyéb teljesítménykapcsolós alkalmazásokban.Alacsony tárolt töltésük és ultragyors helyreállításuk lágy helyreállítási karakterisztikával minimálisra csökkenti a csengetést és az elektromos zajt számos tápkapcsoló áramkörben, így csökkenti a kapcsolótranzisztor teljesítményveszteségét.

Két középső lapos Schottky egyenirányító nagyfrekvenciás szerverekhez és távközlési bázisállomásokhoz SMPS.TO-ba csomagolva A csomagon belül ez az eszköz egyesíti a nagy névleges áramerősséget és az alacsony hangerőt, hogy növelje az alkalmazás megbízhatóságát és teljesítménysűrűségét.A TO-220F 2000 V RMS névleges szigetelési feszültséget biztosít mindhárom kivezetéstől a külső hűtőbordáig.

Ezek a szigetelt kapus bipoláris tranzisztorok fejlett tranch és Fieldstop technológiát alkalmaztak, kiváló VCEsat-ot és kapcsolási sebességet, alacsony kaputöltést biztosítottak.Ami megfelel a RoHS szabványnak.

Ez a termékcsalád a legkorszerűbb teljesítményt kínálja.Olyan nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz tervezték, ahol nagy hatékonyságra és nagy megbízhatóságra van szükség.