kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt van: Otthon » Termékek » IGBT MODUL » PIM » DGC75C120M2T

terhelés

Megosztás:
Facebook megosztás gomb
Twitter megosztás gomb
vonalmegosztás gomb
wechat megosztási gomb
linkedin megosztás gomb
pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztási gomb
oszd meg ezt a megosztási gombot

DGC75C120M2T

IGBT Module 75A 1200V 6 egy csomagban
Elérhetőség:
Mennyiség:

75A 1200V 6 egycsomagban

1 Leírás

Ezek a szigetelt kapu bipoláris tranzisztorok fejlett árok- és Fieldstop technológiát alkalmaztak, kiváló VCEsat-ot és kapcsolási sebességet, alacsony kaputöltést biztosítottak. Ami megfelel a RoHS szabványnak.

2 Jellemzők

● FS Trench Technology, pozitív hőmérsékleti együttható

● Alacsony telítési feszültség: VCE(sat), típus = 2,0V @ IC =75A és Tj = 25°C

● Rendkívül továbbfejlesztett lavinaképesség

3 Alkalmazások

 Hegesztés

 UPS

 Háromszintű inverter

 AC és DC szervo meghajtó erősítő


Előző: 
Következő: 
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • készüljön fel a jövőre,
    iratkozzon fel hírlevelünkre, hogy közvetlenül a postaládájába kapja a frissítéseket