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DGC75C120M2T

Módulo IGBT 75A 1200V 6 em pacote único
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75A 1200V 6 em pacote único

1 Descrição

Esses transistores bipolares de porta isolada usaram design avançado de tecnologia de trincheira e Fieldstop, forneceram excelente VCEsat e velocidade de comutação, baixa carga de porta. O que está de acordo com o padrão RoHS.

2 recursos

● Tecnologia FS Trench, coeficiente de temperatura positivo

● Baixa tensão de saturação: VCE(sat), tipo = 2,0V @ IC =75A e Tj = 25°C

● Capacidade de avalanche extremamente aprimorada

3 aplicações

 Soldagem

 UPS

 Inversor de três níveis

 Amplificador de servo acionamento CA e CC


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