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Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
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2A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET D2N65 TO-252B D2N65 PARA-252B 650 V 2A 英文版D2N65技术规格书.pdf
30A 60V BAIXO VF SchottkyBarrierDiode MBR30R60CTS TO-220C MBR30R60CTS TO-220C 60V 30A MBR30R60CTS 技术规格书REV.1.0..pdf
Transistor bipolar de porta isolada trinchstop 50A 650V G50T65LBBW TO-247 G50T65LBBW PARA-247 650 V 50A G50T65LBBW__folha de dados(1)(1).pdf
36A 1200V canal N SIC Power MOSFET DCCF080M120A2 TO-247-4L DCCF080M120A2 TO-247-4L 1200 V 36A Especificação do dispositivo DCC080M120A.pdf
diodo de barreira DCCT20D65G4 TO-247-2L de 20A 650V SiC Schottky DCCT20D65G4 TO-247-2L 650 V 20A Especificação do dispositivo DCCT20D65G4.pdf
170A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS020N04P DFN5 * 6 DHS020N04P DFN5*6-8 40V 170A Especificação do dispositivo DHS020N04P Rev.2.0.pdf
20A 200V BAIXO VF SchottkyBarrierDiode MBR20R200CT TO-220C MBR20R200CT TO-220C 200 V 20A 英文版MBR20R200CT技术规格书.pdf
80A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D PARA-252B 40V 80A Especificação do dispositivo DH065N04.pdf
Transistor bipolar de porta isolada trinchstop 75A 1200V DGC75F120M2 TO-247PLUS DGC75F120M2 PARA-247PLUS 1200 V 75A DGC75F120M2__datasheet-V1.2.pdf
12A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 PARA-252B 60V 12A Especificação do dispositivo D12N06 (TO-252B).pdf
Pacote de pedágio de potência MOSFET DHS020N88U de modo de aprimoramento de canal N 240A 85V DHS020N88U PEDÁGIO 85V 285A Donghai_DHS020N88U_Datasheet_V2.0.pdf
175A 80V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
15A 40V Modo de aprimoramento de canal P Power MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 PARA-252B -40V -30A Donghai_AOD413&AOB413-B2E_Datasheet_V1.0.pdf
4A 700V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F4N70 TO-220F F4N70 TO-220F 700 V 4A 英文版F4N70技术规格书(1).pdf
7A 600V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F7N60 F7N60 TO-220F 600 V 7A 英文版F7N60技术规格书.pdf
7A 800V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F7N80 TO-220F F7N80 TO-220F 800V 7A 英文版F7N80技术规格书.pdf
4A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F4N65 TO-220F F4N65 TO-220F 650 V 4A 英文版F4N65技术规格书MAXREV1.0.pdf
120A 1200V canal N SIC Power MOSFET DCC016M120G2 / DCCF016M120G2 DCC016M120G2 PARA-247 1200 V 120A Donghai_DCC016M120G2&DCCF016M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
205A 85V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E PARA-263 85V 205A Especificação do dispositivo DHS025N88.pdf
Diodo de barreira SiC Schottky de 25A 1700V DCCT25D170G1 TO-247-2L 1700 V 25A Especificação do dispositivo DCCT25D170G1.pdf

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