2A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET D2N65 TO-252B

2A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET de potência

1 Descrição

Esses vdmosfets aprimorados de canal N são obtidos pela tecnologia planar autoalinhada que reduz a perda de condução, melhora o desempenho de comutação e aumenta a energia da avalanche. O que está de acordo com o padrão RoHS. 

2 RECURSOS

● Troca rápida 

● Capacidade aprimorada de ESD 

● Baixa resistência (Rdson≤5,5Ω) 

● Carga de porta baixa (Tipo: 9,5nC) 

● Baixas capacitâncias de transferência reversa (Tipo: 3pF)

● Teste de energia de avalanche de pulso único de 100%

● Teste ΔVDS 100% 

3 aplicações

● Usado em vários circuitos de comutação de energia para miniaturização do sistema e maior eficiência. 

● Circuito de alimentação do reator eletrônico e adaptador.

VDSS	RDS(ligado)(TYP)	EU IA
650 V	4,6Ω	2A