2A 650 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET D2N65 TO-252B

2A 650 V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET

1 Kuvaus

Nämä N-kanavaiset parannetut vdmosfetit on saatu itsekohdistetun tasomaisen tekniikan avulla, joka vähentää johtavuushäviöitä, parantaa kytkentäsuorituskykyä ja lisää lumivyöryenergiaa. Joka on RoHS-standardin mukainen. 

2 OMINAISUUDET

● Nopea vaihto 

● Parannettu ESD-ominaisuus 

● Pieni resistanssi (Rdson≤5,5Ω) 

● Matala portin lataus (Tyyppi: 9,5 nC) 

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit (Tyyppi: 3pF)

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti

● 100 % ΔVDS-testi 

3 Sovellukset

● Käytetään erilaisissa tehonkytkentäpiireissä järjestelmän pienentämiseksi ja tehokkuuden parantamiseksi. 

● Elektroniliitäntälaitteen ja sovittimen virtakytkinpiiri.

VDSS	RDS (päällä) (TYP)	ID
650V	4,6Ω	2A