2A 650V N-channel Mode Peningkatan Daya MOSFET
1 Deskripsi
Vdmosfet yang ditingkatkan saluran-N ini, diperoleh dengan teknologi planar penyelarasan mandiri yang mengurangi kehilangan konduksi, meningkatkan kinerja peralihan, dan meningkatkan energi longsoran. Yang sesuai dengan standar RoHS.
2 FITUR
● Peralihan cepat
● ESD meningkatkan kemampuan
● Resistansi rendah (Rdson≤5.5Ω)
● Biaya gerbang rendah (Tipe: 9,5nC)
● Kapasitansi transfer balik rendah (Tipe: 3pF)
● 100% uji energi longsoran pulsa tunggal
● Tes ΔVDS 100%.
3 Aplikasi
● Digunakan di berbagai rangkaian peralihan daya untuk miniaturisasi sistem dan efisiensi yang lebih tinggi.
● Rangkaian saklar daya pemberat elektron dan adaptor.
| VDSS |
RDS(aktif)(TYP) |
PENGENAL |
| 650V |
4.6Ω |
2A |