دروازه
شرکت نیمه هادی جیانگ سو دونگهای با مسئولیت محدود
شما اینجا هستید: صفحه اصلی » محصولات » ماسفت » 400V-1500V N MOS » 2A 650 ولت N-channel Enhancement Mode Power MOSFET D2N65 TO-252B

در حال بارگذاری

اشتراک گذاری در:
دکمه اشتراک گذاری فیس بوک
دکمه اشتراک گذاری توییتر
دکمه اشتراک گذاری خط
دکمه اشتراک گذاری ویچت
دکمه اشتراک گذاری لینکدین
دکمه اشتراک گذاری پینترست
دکمه اشتراک گذاری واتساپ
این دکمه اشتراک گذاری را به اشتراک بگذارید

2A 650 ولت N-channel Enhancement Mode Power MOSFET D2N65 TO-252B

2A 650 ولت N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
در دسترس بودن:
تعداد:

ماسفت برق 2A 650 ولت N-channel Enhancement Mode Power


1 توضیحات

این vdmosfet های N-channel بهبود یافته، توسط فناوری مسطح خود تراز شده به دست می آیند که تلفات هدایت را کاهش می دهد، عملکرد سوئیچینگ را بهبود می بخشد و انرژی بهمن را افزایش می دهد. که مطابق با استاندارد RoHS است. 


2 ویژگی

● تعویض سریع 

● قابلیت ESD بهبود یافته است 

● مقاومت کم (Rdson≤5.5Ω) 

● شارژ پایین دروازه (نوع: 9.5nC) 

● ظرفیت انتقال معکوس کم (نوع: 3pF)

● تست 100% انرژی بهمن تک پالس

● تست 100% ΔVDS 


3 برنامه های کاربردی

● در مدارهای مختلف سوئیچینگ قدرت برای کوچک سازی سیستم و راندمان بالاتر استفاده می شود. 

مدار سوئیچ برق بالاست الکترون و آداپتور.


VDSS RDS (روشن) (TYP) شناسه
650 ولت 4.6Ω 2A



قبلی: 
بعدی: 
  • برای خبرنامه ما ثبت نام کنید
  • برای آینده آماده شوید،
    در خبرنامه ما ثبت نام کنید تا به‌روزرسانی‌ها را مستقیماً به صندوق ورودی خود دریافت کنید