2A 650 V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET D2N65 TO-252B

2A 650 V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET

1 Kirjeldus

Need N-kanaliga täiustatud vdmosfetid saadakse isejoondunud tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab juhtivuse kadu, parandab lülitusjõudlust ja suurendab laviini energiat. Mis vastab RoHS standardile. 

2 OMADUST

● Kiire ümberlülitamine 

● ESD täiustatud võime 

● Madal takistus (Rdson≤5,5Ω) 

● Värava madal laetus (tüüp: 9,5 nC) 

● Madal pöördülekande mahtuvus (tüüp: 3pF)

● 100% ühe impulsi laviini energia test

● 100% ΔVDS test 

3 Rakendused

● Kasutatakse erinevates toitelülitusahelates süsteemi miniaturiseerimiseks ja suurema tõhususe tagamiseks. 

● Elektronliiteseadise ja adapteri toitelüliti ahel.

VDSS	RDS (sees) (TYP)	ID
650V	4,6Ω	2A