2A 650V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET D2N65 TO-252B

2A 650V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET

1 Beskrivning

Dessa N-kanals förbättrade vdmosfets, erhålls av den självinriktade plana teknologin som minskar ledningsförlusten, förbättrar växlingsprestandan och förbättrar lavinenergin. Vilket överensstämmer med RoHS-standarden. 

2 FUNKTIONER

● Snabb växling 

● ESD förbättrad kapacitet 

● Lågt motstånd (Rdson≤5,5Ω) 

● Låg grindladdning (typ: 9,5nC) 

● Låga omvända överföringskapacitanser (typ: 3pF)

● 100 % enkelpuls lavinenergitest

● 100 % ΔVDS-test 

3 Applikationer

● Används i olika kraftomkopplingskretsar för systemminiatyrisering och högre effektivitet. 

● Strömbrytarkrets för elektronballast och adapter.

VDSS	RDS(på)(TYP)	ID
650V	4,6Ω	2A