2A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET D2N65 TO-252B

2A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Paglalarawan

Ang mga pinahusay na vdmosfet ng N-channel na ito, ay nakuha ng self-aligned na planar na teknolohiya na nagpapababa sa pagkawala ng pagpapadaloy, nagpapabuti sa pagganap ng paglipat at nagpapahusay sa enerhiya ng avalanche. Alin ang naaayon sa pamantayan ng RoHS. 

2 MGA TAMPOK

● Mabilis na paglipat 

● pinahusay na kakayahan ng ESD 

● Mababa ang resistensya (Rdson≤5.5Ω) 

● Mababang gate charge(Typ: 9.5nC) 

● Mababang reverse transfer capacitances(Typ: 3pF)

● 100% single pulse avalanche energy test

● 100% ΔVDS test 

3 Aplikasyon

● Ginagamit sa iba't ibang power switching circuit para sa miniaturization ng system at mas mataas na kahusayan. 

● Power switch circuit ng electron ballast at adaptor.

VDSS	RDS(on)（TYP)	ID
650V	4.6Ω	2A