2A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET D2N65 TO-252B

2A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erreicht, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 FUNKTIONEN

● Schnelles Umschalten 

● ESD-verbesserte Fähigkeit 

● Niedriger Einschaltwiderstand (Rdson≤5,5Ω) 

● Geringe Gate-Ladung (typisch: 9,5 nC) 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 3 pF)

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen

● Wird in verschiedenen Leistungsschaltkreisen zur Systemminiaturisierung und höheren Effizienz verwendet. 

● Leistungsschaltkreis des elektronischen Vorschaltgeräts und des Adapters.

VDSS	RDS(ein)（TYP)	AUSWEIS
650V	4,6 Ω	2A