2A 650V N-csatornás továbbfejlesztett mód Táp MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett vdmosfeteket az önbeálló síktechnológia biztosítja, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és növeli a lavina energiáját. Ami megfelel a RoHS szabványnak.
2 JELLEMZŐK
● Gyors váltás
● Továbbfejlesztett ESD képesség
● Alacsony ellenállás (Rdson≤5,5Ω)
● Alacsony kaputöltés (Típus: 9,5 nC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitás (Típus: 3pF)
● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 Alkalmazások
● Különféle teljesítménykapcsoló áramkörökben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyság érdekében.
● Elektron ballaszt és adapter tápkapcsoló áramköre.
| VDSS |
RDS (be) (TYP) |
ID |
| 650V |
4,6Ω |
2A |