2A 650V N-арнасын жақсарту режимі Қуат MOSFET D2N65 TO-252B

2A 650V N-арнаны жақсарту режимі Қуат MOSFET

1 Сипаттама

Бұл N-арналы жақсартылған vdmosfets, өткізгіштік жоғалуын азайтатын, коммутациялық өнімділікті жақсартатын және көшкін энергиясын арттыратын өздігінен реттелетін жазық технология арқылы алынған. Бұл RoHS стандартына сәйкес келеді. 

2 МҮМКІНДІКТЕР

● Жылдам ауысу 

● ESD жақсартылған мүмкіндігі 

● Төмен қарсылық (Rdson≤5,5Ω) 

● Төмен қақпа заряды (Типі: 9,5нC) 

● Төмен кері тасымалдау сыйымдылығы (Тип: 3pF)

● 100% бір импульстік көшкін энергиясының сынағы

● 100% ΔVDS сынағы 

3 Қолданбалар

● Жүйені кішірейту және жоғары тиімділік үшін әртүрлі қуат коммутация тізбегінде қолданылады. 

● Электрондық балласт пен адаптордың қуат қосқышының тізбегі.

VDSS	RDS(қосулы)（TYP)	ID
650 В	4,6 Ом	2А