2A 650V N-canale Enhancement Modus Power MOSFET D2N65 TO-252B

2A 650V N-canale Enhancement Modus Power MOSFET

1 Description

Haec N-canali vdmosfets aucta, a technologia planaria auto-aligna facta, quae conductionem damnum minuunt, emendae commutationes perficiendi et NIVIS energiae augendae. Quod congruit cum RoHS vexillum. 

2 Features

Fast commutatione 

ESD melius facultatem 

● Minimum resistente (Rdson≤5.5Ω) 

● Praefectum portae Minimum (Typ: 9.5nC) 

Minimum contra capacitates translationis (Typ: 3pF)

C% unius pulsus NIVIS industria test

C% VDS test 

III Applications

● In variis potentiae mutandi circuitionibus ad systema miniaturizationis et efficientiae altioris adhibitum. 

● Potestas transiens ambitum electronico adprehensis et adaptor.

VDSS	RDS(on)（TYP)	ID
650V	4.6Ω	2A