2A 650V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D2N65 ถึง 252B

2A 650V N-Channel Enhancement Mode Mosfet

1 คำอธิบาย

N-Channel เหล่านี้ได้รับการปรับปรุง VDMOSFETS ได้มาจากเทคโนโลยีระนาบที่ได้รับการจัดแนวด้วยตนเองซึ่งลดการสูญเสียการนำไฟฟ้าปรับปรุงประสิทธิภาพการสลับและเพิ่มพลังงานหิมะถล่ม ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS 

2 คุณสมบัติ

●การสลับอย่างรวดเร็ว 

●ความสามารถที่ดีขึ้นของ ESD 

●ความต้านทานต่ำ (RDSON≤5.5Ω) 

●ประจุเกตต่ำ (ประเภท: 9.5nc) 

●ความสามารถในการถ่ายโอนย้อนกลับต่ำ (ประเภท: 3pf)

●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100%

●การทดสอบ 100% ΔVDS 

3 แอปพลิเคชัน

●ใช้ในวงจรสวิตช์พลังงานที่หลากหลายสำหรับการย่อขนาดของระบบและประสิทธิภาพที่สูงขึ้น 

●วงจรสวิตช์ไฟของอิเล็กตรอนบัลลาสต์และอะแดปเตอร์