MOSFET D2N65 TO-252B de potencia del modo de mejora del canal N de 2A 650V

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 2A y 650 V

1 Descripción

Estos vdmosfets mejorados de canal N se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejora el rendimiento de conmutación y mejora la energía de avalancha. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 CARACTERÍSTICAS

● Cambio rápido 

● Capacidad mejorada de ESD 

● Baja resistencia (Rdson≤5.5Ω) 

● Carga de puerta baja (tipo: 9,5 nC) 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa (tipo: 3pF)

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones

● Se utiliza en varios circuitos de conmutación de energía para miniaturizar el sistema y lograr una mayor eficiencia. 

● Circuito de interruptor de alimentación del balastro electrónico y adaptador.

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
650V	4,6Ω	2A