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400V-1500V N MOS

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MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 4.8A 650V DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650V 4.8A DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia 12N65 TO-220C del modo de mejora del canal N de 12A 650V 12N65 TO-220C 650V 12A 英文版12N65技术规格书.pdf
MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 12 A y 700 V DJF360N70
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 85A 150V DHS110N15D TO-252B DHS110N15D TO-252B 150V 85A Especificación del dispositivo DHS110N15D.pdf
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MOSFET de potencia de unión estupenda de canal N de 11A 650V DHSJ11N65 TO-220C DHSJ11N65 TO-220C 650V 11A Dispositivo DHSJ11N65Especificación(S).pdf
MOSFET de potencia F4N60 TO-220F del modo de mejora del canal N de 4A 600V F4N60 TO-220F 600V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
-10A -40V Modo de mejora del canal P MOSFET de potencia DH170P04V SOP-8 DH170P04V POE-8 -40V -10A Dispositivo+DH170P04V+Especificación.pdf
transistor bipolar G50T65D TO-3PN de la puerta aislada Trenchstop de 50A 650V G50T65D A-3PN 650V 50A G50T65D 技术规格书.pdf
MOSFET de potencia súper unión de canal N de 42A 600V DJC070N60F TO-247 DJC070N60F A-247 600V 42A Especificación del dispositivo DJC070N60F.pdf
MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 13A 650V DHSJ13N65 TO-220C DHSJ13N65 TO-220C 650V 13A Especificación del dispositivo DHSJ13N65.pdf
MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 31A y 600 V DJC099N60F/DJF099N60F
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 150A 150V DHS042N15E TO-263 DHS042N15E A-263 150V 150A DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
MOSFET F5N80 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 5A 800V F5N80 TO-220F 800V 5A 英文版F5N80技术规格书.pdf
 D7N60 TO-252B D7N60 TO-252B 600V 7A 英文版D7N60技术规格书.pdf
MOSFET de potencia SiC de canal N de 40A 1200V DCC075M120G2C TO-247-3 DCC075M120G2C A-247 1200V 40A Especificación del dispositivo DCC075M120G2C.pdf
F6N90 TO-220F F6N90 TO-220F 900V 6A 英文版F6N90技术规格书.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 60A 60V DHD015N06 TO-252B DHD015N06 TO-252B 60V 60A Especificación del dispositivo DHD015N06 (低开启电压50N06).pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 7A 650V DHD7N65 TO-252B DHD7N65 TO-252B 650V 7A 英文版DHD7N65技术规格书REV1.1.pdf
MOSFET de potencia F20N50 del modo de mejora del canal N de 20A 500V F20N50 TO-220F 500V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf

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