未命名(1)(8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти » MOSFET » 400V-1500V N MOS
модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

400-1500 В N MOS

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
4,8 A 650 В N-канальний MOSFET Super Junction Power DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 ТО-220Ф 650В 4,8А DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
12A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 12N65 TO-220C 12N65 ТО-220С 650В 12А 英文版12N65技术规格书.pdf
85A 150V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS110N15D TO-252B DHS110N15D ТО-252Б 150В 85А Специфікація пристрою DHS110N15D.pdf
12A 700V N-канальний Super Junction Power MOSFET DJF360N70
40A 100V P-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH100P40 TO-220C DH100P40 ТО-220С 100В 40А Специфікація пристрою DH100P40.pdf
4A 600 В N-канальний режим підвищення потужності MOSFET F4N60 TO-220F F4N60 ТО-220Ф 600В 4А 英文版F4N60技术规格书.pdf
11A 650V N-канальний Super Junction Power MOSFET DHSJ11N65 TO-220C DHSJ11N65 ТО-220С 650В 11A Пристрій DHSJ11N65Specification(S).pdf
-10A -40V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH170P04V SOP-8 DH170P04V СОП-8 -40В -10А Пристрій+DH170P04V+Специфікація.pdf
42A 600V N-канальний Super Junction Power MOSFET DJC070N60F TO-247 DJC070N60F ТО-247 600В 42А Специфікація пристрою DJC070N60F.pdf
13A 650V N-канальний Super Junction Power MOSFET DHSJ13N65 TO-220C DHSJ13N65 ТО-220С 650В 13А Специфікація пристрою DHSJ13N65.pdf
Біполярний транзистор G50T65D TO-3PN з ізольованим затвором 50A 650V G50T65D ТО-3ПН 650В 50А G50T65D 技术规格书.pdf
5A 800V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET F5N80 TO-220F F5N80 ТО-220Ф 800В 5А 英文版F5N80技术规格书.pdf
150A 150V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS042N15E TO-263 DHS042N15E ТО-263 150В 150А DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
31A 600V N-канальний Super Junction Power MOSFET DJC099N60F/DJF099N60F
Д7Н60 ТО-252Б D7N60 ТО-252Б 600В 7A 英文版D7N60技术规格书.pdf
40A 1200V N-канальний SiC Power MOSFET DCC075M120G2C TO-247-3 DCC075M120G2C ТО-247 1200В 40А Специфікація пристрою DCC075M120G2C.pdf
Ф6Н90 ТО-220Ф F6N90 ТО-220Ф 900В 6A 英文版F6N90技术规格书.pdf
60A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHD015N06 TO-252B DHD015N06 ТО-252Б 60В 60А Специфікація пристрою DHD015N06(低开启电压50N06).pdf
7A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHD7N65 TO-252B DHD7N65 ТО-252Б 650В 7A 英文版DHD7N65技术规格书REV1.1.pdf
20A 500V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET F20N50 F20N50 ТО-220Ф 500В 20А 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf

Відео продукту

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку
    Надіслати
Авторські права © 2023​​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com