未命名(1)(8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти » MOSFET » -30V~-100V P MOS
модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

-30В~-100В P MOS

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
10A 30V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH160P03V SOP-8 DH160P03V СОП-8 30В 10А Специфікація пристрою DH160P03V Rev.1.0.pdf
75A 100V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH100P70 ТО-220С 100В 80А Специфікація пристрою DH100P70.pdf
15A 40V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 ТО-252Б -40В -30А Donghai_AOD413&AOB413-B2E_Datasheet_V1.0.pdf
P-канальний режим підвищення потужності MOSFET 12A 60V DH500P06R DFN3*3-8 DH500P06R DFN3X3 60В 12А Специфікація пристрою DH500P06R Rev.1.0.pdf
P-канальний режим підвищення потужності MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB ТО-251Б 100В 30А
-30A -60V Р-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D ТО-252Б -60В -30А Специфікація пристрою DH300P06.pdf
25A 100V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH100P25D TO-252B DH100P25D ТО-252Б -100В -25А Специфікація пристрою DH100P25.pdf
18A 100V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B ТО-251Б 100В 18А Специфікація пристрою DH100P18 B79.pdf
-30A -100V Р-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH100P30C TO-220C DH100P30C ТО-220С -100В -30А Специфікація пристрою DH100P30CB1Q.pdf
140A 30V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
20A 60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH9Z24 TO-220C DH9Z24 ТО-220С 60В 20А Специфікація пристрою DH9Z24B1R Rev.1.0.pdf
40A 60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 ТО-220С 60В 40А Специфікація пристрою DH400P06.pdf
140A 30V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
-50A -40V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH160P04D TO-252B DH160P04D ТО-252Б -40В -50А Donghai_DH160P04D_Datasheet_V1.0.pdf
-30A -60V Р-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD ТО-252Б -60В -30А Donghai_DH400P06LD&DH400P06LB_Таблиця даних_V2.0.pdf
18A 100V P-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH100P18D TO-252B DH100P18D ТО-252Б 100В 18А Специфікація пристрою DH100P18 B79.pdf
P-канальний режим підвищення потужності MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD ТО-252Б 100В 30А Специфікація пристрою DH100P30AD.pdf
-140A -60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA ТО-220С -60В -140А Пристрій+DTG050P06LA+Специфікація+Ред.1.0.pdf
DH100P20D
-50A -60V Р-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH300P06L TO-220C DH300P06L ТО-220С -60В -50А Пристрій+DH300P06L+Специфікація+Ред.2.0.pdf

Відео продукту

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку
    Надіслати
Авторське право © 2023​​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com