brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET »» -30V ~ -100V P MOS
Model:
Balík:
PROTI:
A:
Vybrané produktové řady:

-30V ~ -100V P MOS

obrázku modelu Balíček V a o datovém listu podrobnosti dotaz Přidat do koše
13a 100V režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET18P10D TO-252B 18P10D TO-252B -100V -13a Zařízení 18P10 Specifikace.pdf
Režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET 40A 100V DH100P40D TO-252B DH100P40D TO-252B -100V -40a Zařízení DH100P40D Specification.pdf
-140a -60V režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60V -140a Zařízení+DTG050P06LA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
15a 40V režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 TO-252B -40V -30a AOD413 & AOB413-B2E_DATASHEET_V1.0.PDF
18a 100V režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET DH100P18D TO-252B DH100P18D TO-252B 100v 18a Zařízení DH100P18 B79 Specifikace.pdf
-50A -60 V P-kanálový režim Power MOSFET DH300P06L TO-220C DH300P06L TO-220C -60V -50A Zařízení+DH300P06L+Specifikace+Rev.2.0.pdf
Režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100v 30a Specifikace DH100P30AD.pdf
40a 60V režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 TO-220C 60V 40a Specifikace zařízení DH400P06.pdf
140a 30V P-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
-50A -40V režim pro zlepšení P-kanálu Power MOSFET DH160P04D TO-252B DH160P04D TO-252B -40V -50A Dh160p04d_datasheet_v1.0.pdf
-30A -100 V P-kanálový režim Power MOSFET DH100P30C TO-220C DH100P30C TO-220C -100V -30a Zařízení DH100P30CB1Q Specifikace.pdf
-30A -60V režim pro vylepšení P-kanálu Power MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60V -30a DH400P06LD & DH400P06LB_DATASHEET_V2.0.pdf
20A 60V P-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH9Z24 TO-220C DH9Z24 TO-220C 60V 20a Zařízení DH9Z24B1R Specifikace Rev.1.0.pdf
Režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET 30A 100V DH100P28D TO-252B DH100P28D TO-252B -100V -30a Specifikace DH100P28.pdf
35A 100V P-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH100P35 TO-220C DH100P35 TO-220C 100v 35a Zařízení DH100P35 Specifikace.pdf
10A 30V P-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH160P03V SOP-8 DH160P03V SOP-8 30v 10a Zařízení DH160P03V Specifikace Rev.1.0.pdf
75a 100V P-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DH100P70 TO-220C 100v 80a Zařízení DH100P70 Specification.pdf
 Režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET 12A 60V DH500P06R DFN3*3-8 DH500P06R DFN3X3 60V 12a Zařízení DH500P06R Specifikace Rev.1.0.pdf
Režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB TO-251B 100v 30a
-30A -60V režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60V -30a Zařízení DH300P06 Specifikace.pdf

Video produktu

  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty