未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » -30V~-100V P MOS
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

-30V~-100V P MOS

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
-30A -60V P-kanál v režimu vylepšení výkonu MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60V -30A Specifikace zařízení DH300P06.pdf
P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB TO-251B 100V 30A
-30A -100V P-kanál v režimu vylepšení napájení MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100V -30A Zařízení DH100P30CB1Q Specifikace.pdf
P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 12A 60V DH500P06R DFN3*3-8 DH500P06R DFN3X3 60V 12A Specifikace zařízení DH500P06R Rev.1.0.pdf
15A 40V P-kanál v režimu vylepšení napájení MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 TO-252B -40V -30A Donghai_AOD413&AOB413-B2E_Datasheet_V1.0.pdf
DH100P20D
10A 30V P-kanál v režimu vylepšení napájení MOSFET DH160P03V SOP-8 DH160P03V SOP-8 30V 10A Specifikace zařízení DH160P03V Rev.1.0.pdf
Výkonový MOSFET 75A 100V P-channel Mode Enhancement DH100P70 TO-220C 100V 80A Specifikace zařízení DH100P70.pdf
13A 100V P-kanál v režimu vylepšení napájení MOSFET18P10D TO-252B 18P10D TO-252B -100V -13A Specifikace zařízení 18P10.pdf
P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 40A 100V DH100P40D TO-252B DH100P40D TO-252B -100V -40A Specifikace zařízení DH100P40D.pdf
35A 100V P-kanál v režimu vylepšení napájení MOSFET DH100P35 To-220C DH100P35 TO-220C 100V 35A Specifikace zařízení DH100P35.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P30D TO-252B -100V -35A Donghai_DH100P30D_Datasheet_V1.0+.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P20D TO-252B -100V -20A Specifikace zařízení DH100P20.pdf
-6A -100V P-channel Mode Enhancement Mode Power MOSFET DH100P18V SOP-8 DH100P18V SOP-8 -100V -6A Donghai_DH100P18V_Datasheet_V1.0.pdf
P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 30A 100V DH100P28D TO-252B DH100P28D TO-252B -100V -30A Specifikace zařízení DH100P28.pdf
DHP50P04 DFN5X6 DHP50P04 DFN5X6 -40V -50A Specifikace zařízení DHP50P04(DFN56)(1).pdf
18A 100V P-kanál v režimu vylepšení výkonu MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100V 18A Zařízení DH100P18 B79 Specifikace.pdf
25A 100V P-kanál v režimu vylepšení napájení MOSFET DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100V -25A Specifikace zařízení DH100P25.pdf
-30A -100V Režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET DH100P30C TO-220C DH100P30C TO-220C -100V -30A Zařízení DH100P30CB1Q Specifikace.pdf
140A 30V P-kanál v režimu vylepšení výkonu MOSFET DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com