Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Продукты » МОП-транзистор » -30В~-100В П МОП
Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

-30В~-100В П МОП

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
15А, 40 В, режим улучшения P-канала, силовой МОП-транзистор AOD413 TO-252B АОД413 ТО-252Б -40В -30А Donghai_AOD413&AOB413-B2E_Datasheet_V1.0.pdf
-30A -60V Режим улучшения P-канала Power MOSFET DH300P06D TO-252B ДХ300П06Д ТО-252Б -60В -30А Спецификация устройства DH300P06.pdf
Режим улучшения P-канала, силовой МОП-транзистор 30 А, 100 В DH100P30AB TO-251B ДХ100П30АБ ТО-251Б 100В 30А
-30A -100V Режим улучшения P-канала Power MOSFET DH100P30CD TO-252B ДХ100П30КД ТО-252Б -100В -30А Спецификация устройства DH100P30CB1Q.pdf
Режим улучшения P-канала, силовой МОП-транзистор 12 А, 60 В DH500P06R DFN3*3-8 ДХ500П06Р DFN3X3 60В 12А Спецификация устройства DH500P06R, версия 1.0.pdf
10 А, 30 В, режим улучшения P-канала, силовой МОП-транзистор DH160P03V SOP-8 ДХ160П03В СОП-8 30 В 10А Спецификация устройства DH160P03V, версия 1.0.pdf
75 А, 100 В, режим улучшения P-канала, силовой МОП-транзистор ДХ100П70 ТО-220С 100В 80А Спецификация устройства DH100P70.pdf
ДХ100П20Д
13А, 100 В, режим улучшения P-канала, мощность MOSFET18P10D TO-252B 18П10Д ТО-252Б -100В -13А Спецификация устройства 18П10.pdf
Режим расширения P-канала, силовой МОП-транзистор 40 А, 100 В DH100P40D TO-252B ДХ100П40Д ТО-252Б -100В -40А Спецификация устройства DH100P40D.pdf
35А, 100 В, режим улучшения P-канала, силовой МОП-транзистор DH100P35 до-220C ДХ100П35 ТО-220С 100В 35А Спецификация устройства DH100P35.pdf
-100В/33мОм/-35А P-MOSFET DH100P30D TO-252B ДХ100П30Д ТО-252Б -100В -35А Donghai_DH100P30D_Datasheet_V1.0+.pdf
-100В/33мОм/-35А P-MOSFET DH100P30D TO-252B ДХ100П20Д ТО-252Б -100В -20А Спецификация устройства DH100P20.pdf
-50A -60V Режим улучшения P-канала Power MOSFET DH300P06L TO-220C ДХ300П06Л ТО-220С -60В -50А Устройство+DH300P06L+Спецификация+Ред.2.0.pdf
Режим расширения P-канала, силовой МОП-транзистор 30 А, 100 В DH100P30AD TO-252B ДХ100П30АД ТО-252Б 100В 30А Спецификация устройства DH100P30AD.pdf
-140A -60V Режим улучшения P-канала Power MOSFET DTG050P06LA TO-220C ДТГ050П06ЛА ТО-220С -60В -140А Устройство+DTG050P06LA+Спецификация+Ред.1.0.pdf
18А, 100 В, режим улучшения P-канала, силовой МОП-транзистор DH100P18D TO-252B ДХ100П18Д ТО-252Б 100В 18А Спецификация устройства DH100P18 B79.pdf
-30A -60V Режим улучшения P-канала Power MOSFET DH400P06LD TO-252B ДХ400П06ЛД ТО-252Б -60В -30А Donghai_DH400P06LD&DH400P06LB_Datasheet_V2.0.pdf
40 А, 60 В, режим улучшения P-канала, силовой МОП-транзистор DH400P06 TO-220C ДХ400П06 ТО-220С 60В 40А Спецификация устройства DH400P06.pdf
140 А, 30 В, режим улучшения P-канала, силовой МОП-транзистор DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D

Видео о продукте

  • Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторские права © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com