未命名 (1) (8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом » Продукция » МОСФЕТ



Модель:
Упаковка:
V:
A:
Выбранные линейки продуктов:

МОСФЕТ

изображений модели Пакет v Анаширование данных сведения о данных Добавить в корзину
33A 60 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH240N06LD до 252B DH240N06LD До 252b 60 В 33а Устройство DH240N06L Спецификация Rev.2.0.pdf
12A 60 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 До 252b 60 В 12A Устройство D12N06 спецификация (до 252b) .pdf
170a 40 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40 В 170a Устройство DHS020N04P Спецификация Rev.2.0.pdf
15A 40 В P-канала режим режима Power Mosfet AOD413 до 252B AOD413 До 252b -40V -30а AOD413 & AOB413-B2E_DATASHEET_V1.0.PDF
80A 40 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH045N04P Пакет DFN5X6 DH045N04P DFN5X6 40 В 80A Устройство DH045N04P Спецификация (1) .pdf
2A 650V N-канальный режим режима Power Mosfet D2N65 до 252B D2N65 До 252b 650 В. 2A 英文版 D2N65 技术规格书 .pdf
175A 80 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 До-220c 80 В 175a DHS035N88 & DHS035N88E & DHS035N88I_DATASHEET_V2.0.PDF
240A 85V N-канал DHS020N88U ПОТЕРИ 85 В 285а DHS020N88U_DATASHEET_V2.0.PDF
90A 80 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 До 252b 80 В 90A Устройство DHD80N08 Specification.pdf
96A 30 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5X6-8L 30 В 96а Устройство DH030N03P Specification.pdf
60A 100 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH0159 TO-220C DH0159 До-220c 100 В 59а Устройство DH0159B76 Спецификация (1) .pdf
300A 40 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS010N04U TOLL Package DHS010N04U ПОТЕРИ 40 В 300а DHS010N04U_DATASHEET_V1.0.PDF
180A 85V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS020N88 TO-220C DHS020N88 До-220c 85 В 180a DHS020N88 & DHS020N88E & DHS020N88I_DATASHEET_V2.0.PDF
60A 68V N-канальный режим режима мощности MOSFET DH60N06/DHF60N06/DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 До-220c 60 В 60A Устройство DH60N06 Спецификация+.pdf
17A 650V N-канал Super Junction Power Mosfet DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 До-220c 650 В. 17а Устройство DHSJ17N65 Specification.pdf
18A 100 В P-канала режим улучшения мощности MOSFET DH100P18D до 252B DH100P18D До 252b 100 В 18а Устройство DH100P18 B79 Specification.pdf
N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 180A 100V DHS025N10U TOLL DHS025N10U ПОТЕРИ 100 В 180a Устройство+DHS025N10U+Спецификация+v2.0.pdf
-50A -60V P-Channel Режим улучшения мощности MOSFET DH300P06L TO-220C DH300P06L До-220c -60V -50a Устройство+DH300P06L+Спецификация+Rev.2.0.pdf
P-Channel Mode Mode Power MOSFET 30A 100 В DH100P30AD до 252B DH100P30AD До 252b 100 В 30A Устройство DH100P30AD спецификация.pdf
20A 650V N-канальный режим режима Power MOSFET F20N65 TO-220F F20N65

Продукт видео



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By vedong.com