ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом » Продукция » МОСФЕТ » 12 В-300В N MOS » 65A 100 В n-канальный режим улучшения MOSFET MOSFET

загрузка

Поделиться с:
Кнопка обмена Facebook
Кнопка обмена Twitter
Кнопка обмена строками
Кнопка обмена WeChat
Кнопка совместного использования LinkedIn
Pinterest кнопка совместного использования
Кнопка обмена WhatsApp
Кнопка обмена Sharethis

65A 100 В n-канальный режим улучшения MOSFET MOSFET

В этом N-канальном режиме режима режима мощности использовались современные технологии технологии Trench Trench Splite, обеспечивающие отличный RDSON и низкий заряд. Который согласуется со стандартом ROHS.
Доступность:
количество:
  • DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D

  • WXDH

65A 100 В n-канальный режим улучшения MOSFET MOSFET


1 Описание

В этом N-канальном режиме режима режима мощности использовались современные технологии технологии Trench Trench Splite, обеспечивающие отличный RDSON и низкий заряд. Который согласуется со стандартом ROHS. 


2 функции 

● Низкое сопротивление 

● Зарядки с низким затвором 

● Быстрое переключение 

● Низкие емкости обратного переноса 

● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной 

● Тест 100% ΔVDS


3 приложения 

● Синхронное исправление для быстрого зарядного устройства AC/DC 

● Электроинструменты 

● UPS (непрерывные источники питания) 

● Мотор управление 

● Управление аккумуляторами

VDSS RDS (ON) (тип) ИДЕНТИФИКАТОР
100 В 11,0 МОм 65а


Предыдущий: 
Следующий: 
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик