65A 100V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

65A 100V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama

Bu N-kanal geliştirme modu güç mosfetleri, gelişmiş splitegate hendek teknolojisi tasarımını kullandı ve mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağladı. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● Düşük direnç 

● Düşük kapı ücreti 

● Hızlı geçiş 

● Düşük ters transfer kapasitansları 

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi

3 Uygulama 

● AC/DC hızlı şarj cihazı için senkron düzeltme 

● Elektrikli aletler 

● UPS(Kesintisiz Güç Kaynakları) 

● Motor kontrolü 

● Pil yönetimi

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
100V	11.0mΩ	65A