未命名 (1) (8) (1)
puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Estás aquí: Hogar » Productos » » Mosfet » 12V-300V N MOS » 65a 100V N-canal Modo de mejora MOSFET

cargando

Compartir a:
botón de intercambio de Facebook
botón de intercambio de Twitter
botón de intercambio de línea
botón de intercambio de WeChat
botón de intercambio de LinkedIn
botón de intercambio de Pinterest
Botón de intercambio de whatsapp
botón compartido de compartir Sharethis

65A 100V MODSE MODENCIA DE MEDIA DE MEDIA DEL CANAL

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera de compuerta de espíritu avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
Disponibilidad:
Cantidad:
Preguntar Agregar a la canasta

  • DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D

  • Wxdh

65A 100V MODSE MODENCIA DE MEDIA DE MEDIA DEL CANAL


1 descripción

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera de compuerta de espíritu avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características 

● Bajo en resistencia 

● carga de puerta baja 

● Cambio rápido 

● Capacitancias de transferencia inversa bajas 

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 

● Prueba de 100% ΔVDS


3 aplicaciones 

● Rectificación sincrónica para el cargador rápido de AC/DC 

● Herramientas eléctricas 

● UPS (fuentes de alimentación ininterrupibles) 

● Control de motor 

● Gestión de la batería

VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
100V 11.0mΩ 65a


Anterior: 
Próximo: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regístrese para nuestro boletín
  • Prepárese para el futuro
    Regístrese para nuestro boletín para obtener actualizaciones directamente a su bandeja de entrada
    Entregar
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com