MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 65 A y 100 V

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 65 A y 100 V

1 Descripción

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de zanja de puerta dividida, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Cambio rápido 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS

3 aplicaciones 

● Rectificación síncrona para cargador rápido AC/DC 

● herramientas eléctricas 

● UPS (fuentes de alimentación ininterrumpida) 

● Control de motores 

● Gestión de la batería

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
100V	11,0 mΩ	65A