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65A 100V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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65A 100V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test


3 Anwendungen 

Ur 

● Elektrowerkzeuge 

● UPS (uninterpulierbare Stromversorgungen) 

● Motorsteuerung 

● Batteriemanagement

VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
100V 11,0 mΩ 65a


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