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65 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
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65 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test


3 Anwendungen 

● Synchrongleichrichtung für AC/DC-Schnellladegerät 

● Elektrowerkzeuge 

● USV (Unterbrechungsfreie Stromversorgung) 

● Motorsteuerung 

● Batteriemanagement

VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
100V 11,0 mΩ 65A


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