MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 65 A 100 V
1 Descriptif
Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée à grille divisée, fournissant un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
2 Caractéristiques
● Faible résistance
● Faible charge de porte
● Commutation rapide
● Faibles capacités de transfert inverse
● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %
● Test 100 % ΔVDS
3 candidatures
● Rectification synchrone pour chargeur rapide AC/DC
● Outils électriques
● UPS (alimentations sans interruption)
● Contrôle du moteur
● Gestion de la batterie
| VDSS |
RDS (activé) (TYP) |
IDENTIFIANT |
| 100V |
11,0 mΩ |
65A |