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Engagé à devenir un leader dans
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SEMI-CONDUCTEURS
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ENGAGÉ À 
DEVENIR UN LEADER DANS 
SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE
ENTREPRISE GAZELLE
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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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À propos de la société

Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. a été créée en décembre 2004, située au n° 88, Zhongtong East Road, Shuofang, district de Xinwu, ville de Wuxi, province du Jiangsu.Il couvre une superficie de 15 000 m2.Le capital social est de 81,5 millions de yuans.Elle dispose d'une ligne de production annuelle de 500 millions d'appareils électriques.Il existe quatre laboratoires pour les tests caractéristiques des appareils, les tests de fiabilité, les tests d'application et l'analyse des pannes.Donghai est une entreprise de haute technologie engagée dans le développement, la conception, le conditionnement, les tests et la vente de dispositifs électriques à semi-conducteurs et de circuits intégrés.

Centre de produits

Les principaux produits sont : MOSFET, IGBT, diode, etc. Il est largement utilisé dans divers produits électroniques grand public, produits électroniques industriels, nouvelles énergies, électronique automobile intelligente, 5G et d'autres domaines.
MOSFET
DIODE
IGBT
MODULE
Notre avantage
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Technologie professionnelle
  • Forte productivité
  • Équipement avancé
  • Recherche innovante
  • Bon service après-vente

Produits chauds

DH030N03
DH030N03
Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception de technologie de tranchée avancée, fournissaient un excellent Rdson et une faible charge de grille.Ce qui est conforme à la norme RoHS.
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F7N80
F7N80
Ces vdmosfets améliorés à canal N sont obtenus grâce à la technologie planaire auto-alignée qui réduit la perte de conduction, améliore les performances de commutation et améliore l'énergie d'avalanche.Ce qui est conforme à la norme RoHS.Le TO-220F fournit une tension d'isolation nominale de 2 000 V RMS entre les trois bornes et le dissipateur thermique externe.La série TO-220F est conforme aux normes UL.
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DH100P20D
DH100P20D
Ces VDMOSFET améliorés à canal P, utilisant une technologie et une conception de tranchée avancées, offrent un excellent Rdson avec une faible charge de grille.Ce qui est conforme à la norme RoHS.
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G40N120D
G40N120D
Les IGBT à tranchée d'arrêt de champ ROUM offrent de faibles pertes de commutation, une efficacité énergétique élevée et une robustesse contre les courts-circuits.
Il est conçu pour des applications telles que le contrôle de moteur, les alimentations sans interruption (UPS), les onduleurs généraux.
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G50T65D
G50T65D
Utilisant la conception de tranchée exclusive de DongHai et la technologie FS avancée, l'IGBT FS 650 V offre des performances de commutation supérieures, une robustesse élevée en cas d'avalanche et un fonctionnement parallèle facile.
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MBRF20100CT
MBRF20100CT
Redresseur Schottky à double languette centrale adapté au serveur haute fréquence et à la station de base de télécommunications SMPS.Emballé en TO À l'intérieur du boîtier, cet appareil combine un courant nominal élevé et un faible volume pour améliorer à la fois la fiabilité et la densité de puissance de l'application.Le TO-220F fournit une tension d'isolation nominale de 2 000 V RMS entre les trois bornes et le dissipateur thermique externe.
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MUR6030NCA
MUR6030NCA
Diodes ultrarapides 60 A, 300 V. Elles ont une faible chute de tension directe et sont de construction épitaxiale planaire, passivée au nitrure de silicium, implantée par ions.Ces dispositifs sont destinés à être utilisés comme diodes et redresseurs de pilotage/serrage d'énergie dans diverses alimentations à découpage et autres applications de commutation de puissance.Leur faible charge stockée et leur récupération ultrarapide avec des caractéristiques de récupération douce minimisent la sonnerie et le bruit électrique dans de nombreux circuits de commutation de puissance, réduisant ainsi la perte de puissance dans le transistor de commutation.
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MBR30R45CTS
MBR30R45CTS
Redresseur Schottky à double languette centrale adapté au serveur haute fréquence et à la station de base de télécommunications SMPS.Emballé en TO À l'intérieur du boîtier, cet appareil combine un courant nominal élevé et un faible volume pour améliorer à la fois la fiabilité et la densité de puissance de l'application.Le TO-220F fournit une tension d'isolation nominale de 2 000 V RMS entre les trois bornes et le dissipateur thermique externe.
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DGC40C120M2T
DGC40C120M2T
Ces transistors bipolaires à grille isolée utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée et Fieldstop, offrant un excellent VCEsat et une excellente vitesse de commutation, une faible charge de grille.Ce qui est conforme à la norme RoHS.
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DCC040M120A2
DCC040M120A2
Cette famille de produits offre des performances de pointe.Il est conçu pour les applications haute fréquence où un rendement et une fiabilité élevés sont requis.
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  • ÉNERGIE ÉOLIENNE
  • Pile de chargement
  • Electronique automobile
  • Electronique Industrielle

Centre d'Information

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