未命名 (1) (8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом »» Продукция » МОСФЕТ » 12V-300V N MOS
Модель:
Упаковка:
V:
A:
Выбранные линейки продуктов:

12 В-300В N MOS

изображений модели Пакет v Анаширование данных сведения о данных Добавить в корзину
50A 30 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHD50N03 до 252B DHD50N03 До 252b 30 В 50а DHB50N03 & DHD50N03_DATASHEET_V1.0.PDF
N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 До-220c 40 В 180a Устройство DHS020N04 Specification.pdf
116A 68V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH070N06 До-220c 60 В 88а Устройство DH070N06 Спецификация (2) .pdf
250A 40 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH019N04 до-220C DH019N04 До-220c 40 В 250a Устройство DH019N04 Specification.pdf
90A 40 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH045N04 до-220C DH045N04 До-220c 40 В 90A Устройство DH045N04 Specification.pdf
120a 60 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 До-220c 60 В 120a Устройство+DH065N06+Спецификация+Rev.2.0.pdf
238A 60 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH026N06 до-220C DH026N06 До-220c 60 В 238а Устройство DH026N06 Specification.pdf
120A 40 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH033N04 до-220C DH033N04 До-220c 40 В 120a Устройство DH033N04 Specification.pdf
110A 60 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH066N06E TO-263 DH066N06E До 263 60 В 110a Устройство+DH066N06+Спецификация+Rev.2.0.pdf
180A 40 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 До-220c 40 В 180a Donghai+DHS021N04 & DHS021N04E+DataSheeT+v3.0.pdf
33A 60 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH240N06LD до 252B DH240N06LD До 252b 60 В 33а Устройство DH240N06L Спецификация Rev.2.0.pdf
80A 40 В n-канальный режим режима мощности MOSFET DH065N04D до 252B DH065N04D До 252b 40 В 80A Устройство DH065N04 Specification.pdf
240A 60 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS022N06 TO-220C DHS022N06 До-220c 60 В 180a Donghai+DHS022N06 & DHS022N06E+DataSheeT+v2.0.pdf
60a 40 В N-канальный режим улучшения мощности Mosfet DH065N04P DFN5X6 DH065N04P DFN5X6 40 В 60A Устройство DH065N04P Specization.pdf
180a 60 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS025N06E до 263 DHS025N06E До 263 60 В 180a  DHS025N06 & DHS025N06E_DATASHEET_V2.0.PDF
100A 85V N-канальный режим режима Power MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 До-220c 85 В 100А Устройство DH85N08 Specification.pdf
47A 100 В n-канальный режим улучшения MOSFET до-220C DHS180N10L До-220c 100 В 47а Устройство DHS180N10L Specification.pdf
60a 20 В n-канальный режим улучшения режима мощности DH048N02B/DH048N02D
49A 80 В n-канальный режим улучшения режима питания Mosfet DH116N08d До 252b 80 В 49а Устройство DH116N08 Specification.pdf
21a 100 В n-канальный режим улучшения режима мощности DHS400N10LD /DHS400N10LB /DHS400N10L

Продукт видео

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By vedong.com