ворота
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Продукты » МОП-транзистор » 12В-300В Н МОП
Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

12 В-300 В Н МОП

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
80А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH065N04D TO-252B ДХ065Н04Д ТО-252Б 40В 80А Спецификация устройства DH065N04.pdf
170 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P ДФН5*6-8 40В 170А Спецификация устройства DHS020N04P, версия 2.0.pdf
175 А, 80 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS035N88 TO-220C ДХС035Н88 ТО-220С 80В 175А Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
240 А, 85 В, N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор DHS020N88U, платный пакет ДХС020Н88У ПОТЕРИ 85В 285А Donghai_DHS020N88U_Datasheet_V2.0.pdf
12А, 60 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор D12N06 TO-252 Д12Н06 ТО-252Б 60В 12А Спецификация устройства Д12Н06(ТО-252Б).pdf
205A 85V N-канальный режим улучшения MOSFET DHS025N88 TO-263 ДХС025Н88Е ТО-263 85В 205А Спецификация устройства DHS025N88.pdf
200 В/11 мОм/110 А N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN ДСН108Н20Н ТО-3ПН 200В 110А Donghai_DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
180A 85V N-канальный режим улучшения MOSFET DSD040N08N3A TO-252B ДСД040Н08Н3А ТО-252Б 85В 180А Устройство+DSD040N08N3A+Спецификация+Ред.1.0.pdf
220 А, 20 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH009N02P DFN5*6-8 ДХ009N02P ДФН5*6-8 20 В 220А Спецификация устройства DH009N02P.pdf
320 А, 20 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH009N02U
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 120 А, 100 В DH10H035R TO-220C ДХ10Х035Р ТО-220С 100В 120А Спецификация устройства DH10H035R.pdf
320 А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH012N03 TO-220C ДХ012N03 ТО-220С 30 В 320А Спецификация устройства DH012N03.pdf
30 А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH081N03R DFN3*3-8 ДХ081Н03Р ДФН3*3-8 30 В 30А Спецификация устройства DH081N03R.pdf
 N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 180 А, 40 В DHS020N04D TO-252B DHS020N04D ТО-252Б 40В 180А Спецификация устройства DHS020N04D.pdf
60А, 68В, N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор DHF50N06 TO-220F ДХФ50Н06 ТО-220Ф 68В 60А Спецификация устройства 50Н06Б34.pdf
310 А, 20 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH009N02 TO-220C ДХ009N02 ТО-220С 20 В 310А Спецификация устройства DH009N02.pdf
105A 68V N-канальный режим расширения MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E ТО-263 68В 105А Дунхай+DHS055N07&DHS055N07E+Технические данные+V2.0 .pdf
35А, 120 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DSD270N12N3 TO-252B ДСД270Н12Н3 ТО-252Б 120 В 35А Устройство+DSD270N12N3+Спецификация+Ред.1.0.pdf
320 А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH012N03D TO-252B ДХ012Н03Д ТО-252Б 30 В 320А Спецификация устройства DH012N03.pdf
60А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH081N03D TO-252B DH081N03D ТО-252Б 30 В 60А Спецификация устройства DH081N03.pdf

Видео о продукте

  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик