未命名(1)(8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter » MOSFET » 12V-300V N MOS
Modell:
Paket:
V:
A:
VALDA PRODUKTRADER:

12V-300V N MOS

Bild Modell Paket V A Datablad Detaljer Förfrågan Lägg i kundvagnen
220A 20V N-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20V 220A Enhet DH009N02P Specifikation.pdf
320A 20V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET DH009N02U
30A 30V N-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30V 30A Enhet DH081N03R Specifikation.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200V 110A Donghai_DSN108N20N_Datablad_V1.0.pdf
310A 20V N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 TO-220C 20V 310A Enhet DH009N02 Specifikation.pdf
180A 85V N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85V 180A Enhet+DSD040N08N3A+Specifikation+Rev.1.0.pdf
N-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R TO-220C 100V 120A Enhet DH10H035R Specifikation.pdf
60A 30V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30V 60A Enhet DH081N03 Specifikation.pdf
175A 80V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS035N88E TO-263 DHS035N88E TO-263 80V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
320A 30V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30V 320A Enhet DH012N03 Specifikation.pdf
N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180A Enhet DHS020N04D Specifikation.pdf
60A 68V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68V 60A Enhet 50N06B34 Specifikation.pdf
105A 68V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+Datablad+V2.0 .pdf
100A 85V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 TO-220C 85V 100A Enhet DH85N08 Specifikation.pdf
35A 120V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120V 35A Enhet+DSD270N12N3+Specifikation+Rev.1.0.pdf
49A 80V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET DH116N08D TO-252B 80V 49A Enhet DH116N08 Specifikation.pdf
320A 30V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320A Enhet DH012N03 Specifikation.pdf
60A 68V N-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70V 56A Donghai_DH105N07P_Datablad_V1.0 (1).pdf
12A 100V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100V 12A Enhet DH850N10D Specifikation (1).pdf
30A 60V N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET DHDZ24 TO-252B DHDZ24 TO-252B 60V 30A Enhet DHZ24B31 Specifikation.pdf

Produktvideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Anmäl dig till vårt nyhetsbrev
  • gör dig redo för framtiden
    registrera dig för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt i din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023​​​​​​​Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com