未命名(1)(8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter » MOSFET » 12V-300V N MOS
Modell:
Paket:
V:
A:
VALDA PRODUKTRADER:

12V-300V N MOS

Bild Modell Paket V A Datablad Detaljer Förfrågan Lägg i kundvagnen
170A 30V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS010N03P DFN5X6 DHS010N03P
120A 98V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98V 120A Enhet DHS046N10 Specification.pdf
220A 40V N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET DTG025N04NA TO-220C DTG025N04NA TO-220C 40V 220A Enhet DTE025N04NA&DTG025N04NA Specifikation Rev.1.0.pdf
100A 100V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS065N10 TO-220C 100V 95A Enhet+DHS065N10+Specifikation+Rev.2.0.pdf
110A 60V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH065N06D TO-252B DH065N06D TO-252B 60V 110A Donghai_DH065N06D_Datablad_V2.0.pdf
155A 40V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 TO-220C 40V 155A Enhet DH035N04 Specifikation.pdf
100A 68V N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET DHS031N07P DFN5*6 DHS031N07P DFN5X6 68V 100A Donghai_ DHS031N07P_DataSheet_V2.0 .pdf
100V/2,9mΩ/190A N-MOSFET DSU035N10N3A TILL DSU035N10N3A VÄGTULL 100V 190A Donghai_DSU035N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
116A 68V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET DH070N06 TO-220C 60V 88A Enhet DH070N06 Specifikation(2).pdf
85A 80V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH075N08 TO-220C DH075N08 TO-220C 80V 95A Donghai_DH075N08&DH075N08E_Datasheet_V2.0.pdf
100V/1,5mΩ/240A N-MOSFET DSC018N10N TO-247 DSC018N10N TO-247 100V 240A Donghai_DSC018N10N_Datablad_V1.0.pdf
DH030N03
180A 100V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS035N10 TO-220 DHS035N10 TO-220C 100V 180A Enhet+DHS035N10&DHS035N10E+Specifikation+Rev.1.0 (1).pdf
110A 85V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS055N85E TO-263 DHS055N85E TO-263 85V 110A Enhet DHS055N85 Specifikation.pdf
60A 68V N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET DHD50N06 TO-252B DHD50N06 TO-252B 68V 60A Enhet 50N06B34 Specifikation.pdf
238A 60V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH026N06E TO-263 DH026N06E TO-263 60V 238A Enhet DH026N06 Specifikation.pdf
105A 68V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D TO-252B 68V 95A Donghai+DHS055N07B&DHS055N07D+Datablad+V2.0 .pdf
80A 68V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E TO-263 68V 80A Enhet DH072N07 Specifikation.pdf
80A 68V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68V 80A Enhet DH072N07 Specifikation.pdf
100A 30V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH033N03D TO-252B DH033N03D TO-252B 30V 100A Enhet DH033N03 Specifikation(1).pdf

Produktvideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Anmäl dig till vårt nyhetsbrev
  • gör dig redo för framtiden
    registrera dig för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt i din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023​​​​​​​Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com