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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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12V-300V N MOS

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81A 80V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET DH060N08 a 220C DH060N08 A 220c 80V 81a Dispositivo DH060N08 Especificación.PDF
140A 85V MODANCO DE MEDIA DE MODANCIACIÓN DEL CANNO MOSFET DHS043N85/DHS043N85F/DHS043N85E/DHS043N85B/DHS043N85D
150V/9.5MΩ/52A N-MOSFET DHS110N15F TO-220F DHS110N15F A 220F 150V 52a Donghai+DHS110N15F+Hoja de datos+V1.0.PDF
Modo de mejora del canal de N 50A 200V MOSFET F50N20 F50N20 A 220F 200V 50A Dispositivo F50N20 Especificación (1) .pdf
Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 150A 150V DSG059N15NA TO-220C DSG059N15NA A 220c 150V 150a Dispositivo DSG059N15NA Especificación.PDF
100V/15MΩ/50A N-MOSFET DSD190N10L3 TO-252B DSD190N10L3 A 252b 100V 50A Dsd190n10l3 y dsb190n10l3_dataSheet_v1.0.pdf
Modo de mejora del canal N 100a 30V MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K
Modo de mejora del canal N MOSFET 150A 150V DHS042N15 DHS042N15 A 220c 150V 150a Dhs042n15 y dhs042n15e_dataSheet_v2.0 (1) .pdf
18A 200V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET D18N20 TO-252B D18N20 A 252b 200V 18A Dispositivo D18N20 Especificación Rev.1.0.pdf
9A 200V Modo de mejora del canal MOSFET D630 TO-252B D630 A 252b 200V 9A Dispositivo 630 Especificación.pdf
120A 98V Modo de mejora del canal MOSFET DH90N045R TO-220C DH90N045R A 220c 98V 120a Dispositivo DH90N045RSM2 Especificación.PDF
112A 68V Modo de mejora del canal de potencia MOSFET DH100N06 a 220C DH100N06 A 220c 68V 112a Dh100n06_dataSheet_v3.0.pdf
80A 40V N-canal Modo de mejora de la potencia MOSFET DH045N04P PAQUETE DFN5X6 DH045N04P Dfn5x6 40V 80A Dispositivo DH045N04P Especificación (1) .PDF
175A 80V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 A 220c 80V 175a Dhs035n88 y dhs035n88e & dhs035n88i_dataSheet_v2.0.pdf
180A 100V Modo de mejora del canal MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA A 263 100V 180A Dispositivo+DSE026N10NA y DSG028N10NA+Especificación+Rev.1.0.pdf
12a 60V N-canal Modo de mejora MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 A 252b 60V 12A Dispositivo D12N06 Especificación (TO-252B) .pdf
170A 40V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40V 170A Dispositivo DHS020N04P Especificación Rev.2.0.pdf
300A 40V Modo de mejora del canal de potencia MOSFET DHS010N04U PAGA DE PELL DHS010N04U PEAJE 40V 300A Dhs010n04u_dataSheet_v1.0.pdf
Modo de mejora del canal de 4 40V de 40V MOSFET DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P Dfn5x6 40V 100A Donghai DHS021N04P Data hoja de datos v3.0.pdf
180A 85V Modo de mejora del canal MOSFET MOSFET DHS020N88 TO-220C DHS020N88 A 220c 85V 180A DHS020N88 y DHS020N88E & DHS020N88I_DATASHEETE_V2.0.PDF

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