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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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170A 30V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET DHS010N03P DFN5X6

170A 30V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET :
Disponibilidad
Cantidad:
  • DHS010N03P

  • Wxdh

170A 30V MODANCE DE MEDIA DE MEDIA DEL CANAL


1 descripción


Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera de compuerta de espíritu avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.


2 características

● Bajo en resistencia

● carga de puerta baja 

● Cambio rápido 

● Capacitancias de transferencia inversa bajas

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 

● Prueba de 100% ΔVDS 


3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de encendido 

● Convertidores DC-DC 

● Control completo del puente


VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
30V 1.1mΩ 170A


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