Dostępność MOSFET: | |
---|---|
Ilość: | |
DHS010N03P
Wxdh
170A 30 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET
1 Opis
Te MOSFET MOSFETS Ulepszenia N-kanałów zastosowano zaawansowany projekt technologii wykopów SPLITE BATE, zapewnił doskonały ładunek RDSON i niski ładunek bramki. Co jest zgodne ze standardem Rohs.
2 funkcje
● Niskie opór
● Niski ładunek bramki
● Szybkie przełączanie
● Niskie pojemności transferu odwrotnego
● 100% testu energii lawinowej pojedynczej pulsu
● Test 100% ΔVDS
3 aplikacje
● Aplikacje przełączające zasilanie
● Przetopienia DC-DC
● Pełna kontrola mostu
VDSS | RDS (ON) (Typ) | ID |
30 V. | 1,1MΩ | 170a |
170A 30 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET
1 Opis
Te MOSFET MOSFETS Ulepszenia N-kanałów zastosowano zaawansowany projekt technologii wykopów SPLITE BATE, zapewnił doskonały ładunek RDSON i niski ładunek bramki. Co jest zgodne ze standardem Rohs.
2 funkcje
● Niskie opór
● Niski ładunek bramki
● Szybkie przełączanie
● Niskie pojemności transferu odwrotnego
● 100% testu energii lawinowej pojedynczej pulsu
● Test 100% ΔVDS
3 aplikacje
● Aplikacje przełączające zasilanie
● Przetopienia DC-DC
● Pełna kontrola mostu
VDSS | RDS (ON) (Typ) | ID |
30 V. | 1,1MΩ | 170a |