170A 30V N-Channel Mode Power MOSFET DHS010N03P DFN5X6

170A 30V N-Channel Mode Power MOSFET

1 คำอธิบาย

โหมดการปรับปรุง N-Channel Mosfets เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องน้ำเกต Splite ขั้นสูงให้ RDSON ที่ยอดเยี่ยมและชาร์จประตูต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS

2 คุณสมบัติ

●ความต้านทานต่ำ

● ค่าเกตต่ำ 

● การสลับอย่างรวดเร็ว 

● ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ

●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100% 

●การทดสอบ 100% ΔVDS 

3 แอปพลิเคชัน 

●แอปพลิเคชันการสลับพลังงาน 

●ตัวแปลง DC-DC 

●การควบคุมบริดจ์เต็มรูปแบบ

วีดีเอสเอส	RDS (บน) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน
30V	1.1mΩ	170a