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DHS010N03P
Wxdh
170a 30V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET
1 Beschreibung
Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
2 Merkmale
● Niedrig des Widerstands
● Ladung mit niedriger Gate
● schnelles Umschalten
● Niedrige Umkehrtransferkapazität
● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest
● 100% ΔVDS -Test
3 Anwendungen
● Stromschaltanwendungen
● DC-DC-Konverter
● Vollbrückenkontrolle
VDSS | RDS (ON) (Typ) | AUSWEIS |
30V | 1,1 mΩ | 170a |
170a 30V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET
1 Beschreibung
Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
2 Merkmale
● Niedrig des Widerstands
● Ladung mit niedriger Gate
● schnelles Umschalten
● Niedrige Umkehrtransferkapazität
● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest
● 100% ΔVDS -Test
3 Anwendungen
● Stromschaltanwendungen
● DC-DC-Konverter
● Vollbrückenkontrolle
VDSS | RDS (ON) (Typ) | AUSWEIS |
30V | 1,1 mΩ | 170a |