Tor
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Sie sind hier: Heim »» Produkte » Mosfet » 12V-300V n Mos »» 170a 30v N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET DHS010N03P DFN5X6

Laden

Teilen an:
Facebook Sharing Button
Twitter Sharing -Schaltfläche
Leitungsfreigabe -Taste
Wechat Sharing -Taste
LinkedIn Sharing -Taste
Pinterest Sharing -Taste
WhatsApp Sharing -Taste
Sharethis Sharing Button

170a 30V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DHS010N03P DFN5X6

170a 30V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET-
Verfügbarkeit:
Menge:
  • DHS010N03P

  • Wxdh

170a 30V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung


Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.


2 Merkmale

● Niedrig des Widerstands

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen 

● DC-DC-Konverter 

● Vollbrückenkontrolle


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
30V 1,1 mΩ 170a


Vorherige: 
Nächste: 
  • Melden Sie sich für unseren Newsletter an
  • Sie sich bereit für die Zukunft
    Machen