170 A 30 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS010N03P DFN5X6

170 A 30 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.

2 Funktionen

● Geringer Widerstand

● Niedrige Gate-Ladung 

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Leistungsschaltanwendungen 

● DC-DC-Wandler 

● Vollständige Brückenkontrolle

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
30V	1,1 mΩ	170A