170a 30V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DHS010N03P DFN5X6

170a 30V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.

2 Merkmale

● Niedrig des Widerstands

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 

3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen 

● DC-DC-Konverter 

● Vollbrückenkontrolle