170A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS010N03P DFN5X6

170A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Paglalarawan

Ang mga N-channel enhancement mode power mosfets na ito ay gumamit ng advanced na splite gate trench technology na disenyo, na nagbigay ng mahusay na Rdson at mababang gate charge. Alin ang naaayon sa pamantayan ng RoHS.

2 Mga Tampok

● Mababa ang resistensya

● Mababang gate charge 

● Mabilis na paglipat 

● Mababang reverse transfer capacitances

● 100% single pulse avalanche energy test 

● 100% ΔVDS test 

3 Aplikasyon 

● Power switching application 

● Mga converter ng DC-DC 

● Buong kontrol ng tulay

VDSS	RDS(on)(TYP)	ID
30V	1.1mΩ	170A