Доступность: | |
---|---|
Количество: | |
DHS010N03P
WXDH
170a 30 В n-канальный режим улучшения Mosfet Mosfet
1 Описание
В этом N-канальном режиме режима режима мощности использовались современные технологии технологии Trench Trench Splite, обеспечивающие отличный RDSON и низкий заряд. Который согласуется со стандартом ROHS.
2 функции
● Низкое сопротивление
● Зарядки с низким затвором
● Быстрое переключение
● Низкие емкости обратного переноса
● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
● Тест 100% ΔVDS
3 приложения
● Приложения переключения питания
● Преобразователи DC-DC
● Полное управление мостом
VDSS | RDS (ON) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
30 В | 1,1 МОм | 170a |
170a 30 В n-канальный режим улучшения Mosfet Mosfet
1 Описание
В этом N-канальном режиме режима режима мощности использовались современные технологии технологии Trench Trench Splite, обеспечивающие отличный RDSON и низкий заряд. Который согласуется со стандартом ROHS.
2 функции
● Низкое сопротивление
● Зарядки с низким затвором
● Быстрое переключение
● Низкие емкости обратного переноса
● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
● Тест 100% ΔVDS
3 приложения
● Приложения переключения питания
● Преобразователи DC-DC
● Полное управление мостом
VDSS | RDS (ON) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
30 В | 1,1 МОм | 170a |