丨
Стремление стать лидером в
ВЛАСТЬ
ПОЛУПРОВОДНИКИ
Посмотреть больше
баннер2
ПРИВЕРЖЕННЫЙ К 
СТАТЬ ЛИДЕРОМ В 
СИЛОВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
ГАЗЕЛЬ ПРЕДПРИЯТИЕ
Посмотреть больше
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
0 +
㎡

Площадь пола

0 +
миллион

Уставный капитал

0 +
миллион

Мощность производственной линии

0 +
%

Подлинность продукта

1

О компании

Компания Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. была основана в декабре 2004 года и расположена по адресу № 88, Zhongtong East Road, Шуофан, район Синьу, город Уси, провинция Цзянсу.Он занимает площадь 15000м2.Уставный капитал составляет 81,5 миллиона юаней.Ежегодная производственная линия составляет 500 миллионов силовых устройств.Имеется четыре лаборатории для испытаний характеристик устройств, испытаний на надежность, испытаний приложений и анализа отказов.Donghai — высокотехнологичное предприятие, занимающееся разработкой, проектированием, упаковкой, тестированием и продажей полупроводниковых силовых устройств и интегральных схем.

Центр продуктов

Основная продукция: MOSFET, IGBT, диод и т. д. Он широко используется в различных потребительских электронных продуктах, промышленных электронных продуктах, новой энергетике, интеллектуальной автомобильной электронике, 5G и других областях.
МОП-транзистор
ДИОД
БТИЗ
МОДУЛЬ
Наше преимущество
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Профессиональные технологии
  • Высокая производительность
  • Современное оборудование
  • Инновационные исследования
  • Хорошее послепродажное обслуживание

Горячие продукты

ДХ030N03
ДХ030N03
В этих N-канальных мощных МОП-транзисторах с режимом улучшения использовалась передовая конструкция траншейной технологии, обеспечивающая превосходное сопротивление Rdson и низкий заряд затвора.Что соответствует стандарту RoHS.
0
0
Ф7Н80
Ф7Н80
Эти N-канальные улучшенные vdmosfets получены с помощью самовыравнивающейся планарной технологии, которая уменьшает потери проводимости, улучшает характеристики переключения и увеличивает лавинную энергию.Что соответствует стандарту RoHS.TO-220F обеспечивает напряжение изоляции номиналом 2000 В (среднеквадратичное значение) от всех трех клемм до внешнего радиатора.Серия TO-220F соответствует стандартам UL.
0
0
ДХ100П20Д
ДХ100П20Д
В этих усовершенствованных VDMOSFET-транзисторах с P-каналом используются передовые технологии и конструкция, обеспечивающие превосходное качество Rdson при низком заряде затвора.Что соответствует стандарту RoHS.
0
0
Г40Н120Д
Г40Н120Д
ROUM Field Stop Trench IGBT обеспечивают низкие коммутационные потери, высокую энергоэффективность и устойчивость к короткому замыканию.
Он предназначен для таких приложений, как управление двигателем, источники бесперебойного питания (ИБП), общие инверторы.
0
0
Г50Т65Д
Г50Т65Д
Используя запатентованную конструкцию DongHai Trench и передовую технологию FS, IGBT FS 650 В обеспечивает превосходные характеристики переключения, высокую лавинную устойчивость и простоту параллельной работы.
0
0
МБРФ20100CT
МБРФ20100CT
Выпрямитель Шоттки с двумя центральными выводами, подходящий для высокочастотных серверов и базовых станций электросвязи SMPS.Упаковано в TO Внутри корпуса это устройство сочетает в себе высокий номинальный ток и небольшой объем, что повышает надежность и удельную мощность приложения.TO-220F обеспечивает напряжение изоляции номиналом 2000 В (среднеквадратичное значение) от всех трех клемм до внешнего радиатора.
0
0
MUR6030NCA
MUR6030NCA
Сверхбыстрые диоды на 60 А, 300 В. Они имеют низкое прямое падение напряжения и имеют плоскую, пассивированную нитридом кремния, ионно-имплантированную эпитаксиальную конструкцию.Эти устройства предназначены для использования в качестве диодов управления/ограничения энергии и выпрямителей в различных импульсных источниках питания и других устройствах переключения мощности.Их низкий накопленный заряд и сверхбыстрое восстановление с характеристиками мягкого восстановления минимизируют звон и электрический шум во многих схемах переключения мощности, тем самым уменьшая потери мощности в переключающем транзисторе.
0
0
МБР30Р45CTS
МБР30Р45CTS
Выпрямитель Шоттки с двумя центральными выводами, подходящий для высокочастотных серверов и базовых станций электросвязи SMPS.Упаковано в TO Внутри корпуса это устройство сочетает в себе высокий номинальный ток и небольшой объем, что повышает надежность и удельную мощность приложения.TO-220F обеспечивает напряжение изоляции номиналом 2000 В (среднеквадратичное значение) от всех трех клемм до внешнего радиатора.
0
0
ДГК40С120М2Т
ДГК40С120М2Т
В этих биполярных транзисторах с изолированным затвором использованы передовые технологии траншеи и Fieldstop, обеспечивающие превосходное VCEsat и скорость переключения, низкий заряд затвора.Что соответствует стандарту RoHS.
0
0
DCC040M120A2
DCC040M120A2
Это семейство продуктов предлагает самые современные характеристики.Он предназначен для высокочастотных применений, где требуются высокая эффективность и высокая надежность.
0
0
  • ВЕТРОВАЯ ЭНЕРГИЯ
  • Зарядка сваи
  • Автомобильная электроника
  • Промышленная электроника

Центр новостей

→
11_1365_905.jpg
→
2019 黄山宏村两天游.jpg
→
2021 年第四届春节跑步.jpg
  • Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на наши новости
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Подписаться
Авторские права © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com