これらの N チャネル エンハンスメント モード パワー MOSFET は高度なトレンチ技術設計を使用しており、優れた Rdson と低いゲート電荷を提供します。RoHS規格に準拠しています。

これらの N チャネル強化 vdmosfet は、伝導損失を低減し、スイッチング性能を向上させ、アバランシェ エネルギーを強化する自己整合プレーナ技術によって得られます。RoHS規格に準拠しています。TO-220F は、3 つの端子すべてから外部ヒートシンクまで定格 2000V RMS の絶縁電圧を提供します。TO-220FシリーズはUL規格に準拠しています。

これらの P チャネル強化型 VDMOSFET は、高度なトレンチ技術と設計を使用しており、低いゲート電荷で優れた Rdson を実現します。RoHS規格に準拠しています。

ROUM フィールド ストップ トレンチ IGBT は、低いスイッチング損失、高いエネルギー効率、および短絡耐性を備えています。
モーター制御、無停電電源装置(UPS)、一般的なインバーターなどのアプリケーション向けに設計されています。

DongHai 独自のトレンチ設計と高度な FS 技術を使用した 650V FS IGBT は、優れたスイッチング性能、高いアバランシェ耐性、容易な並列動作を実現します。

高周波サーバーおよび通信基地局 SMPS に適したデュアル センター タブ ショットキー整流器。TO パッケージにパッケージ化されたこのデバイスは、パッケージ内で高電流定格と低容量を組み合わせて、アプリケーションの信頼性と電力密度の両方を向上させます。TO-220F は、3 つの端子すべてから外部ヒートシンクまで定格 2000V RMS の絶縁電圧を提供します。

60A、300V 超高速ダイオード 順方向電圧降下が低く、プレーナ、窒化ケイ素不動態化、イオン注入、エピタキシャル構造です。これらのデバイスは、さまざまなスイッチング電源やその他の電力スイッチング用途でエネルギーステアリング/クランプダイオードおよび整流器として使用することを目的としています。低い蓄積電荷量とソフトリカバリ特性による超高速リカバリにより、多くのパワースイッチング回路におけるリンギングと電気ノイズを最小限に抑え、スイッチングトランジスタでの電力損失を低減します。

高周波サーバーおよび通信基地局 SMPS に適したデュアル センター タブ ショットキー整流器。TO にパッケージ化されたこのデバイスは、パッケージ内で高電流定格と低容量を組み合わせて、アプリケーションの信頼性と電力密度の両方を向上させます。TO-220F は、3 つの端子すべてから外部ヒートシンクまで定格 2000V RMS の絶縁電圧を提供します。

これらの絶縁ゲート バイポーラ トランジスタは、高度なトレンチおよびフィールドストップ技術設計を使用し、優れた VCEsat とスイッチング速度、低ゲート電荷を実現しました。RoHS規格に準拠しています。

この製品ファミリーは最先端のパフォーマンスを提供します。高効率と高信頼性が要求される高周波アプリケーション向けに設計されています。