DGA75H120M2T
WXDH
75A 1200V ハーフブリッジモジュール
1 説明
これらの絶縁ゲート バイポーラ トランジスタは、高度なトレンチおよびフィールドストップ技術設計を使用し、優れた V CEsat とスイッチング速度、低ゲート電荷を実現しました。RoHS規格に準拠しています。
2 特徴
● FS トレンチテクノロジー、正の温度係数
● 低い飽和電圧: V CE(sat) 、標準 = 2.0V @ I C =75A および T j = 25°C
● 極めて強化されたアバランシェ能力
3アプリケーション
溶接
UPS
3レベルインバーター
ACおよびDCサーボドライブアンプ
タイプ | VCE | IC | VCEsat,Tj=25℃ | チョップ | パッケージ |
DGA75H120M2T | 1200V | 75A(Tj=100℃) | 2.0V (標準値) | 175℃ | 34MM |
75A 1200V ハーフブリッジモジュール
1 説明
これらの絶縁ゲート バイポーラ トランジスタは、高度なトレンチおよびフィールドストップ技術設計を使用し、優れた V CEsat とスイッチング速度、低ゲート電荷を実現しました。RoHS規格に準拠しています。
2 特徴
● FS トレンチテクノロジー、正の温度係数
● 低い飽和電圧: V CE(sat) 、標準 = 2.0V @ I C =75A および T j = 25°C
● 極めて強化されたアバランシェ能力
3アプリケーション
溶接
UPS
3レベルインバーター
ACおよびDCサーボドライブアンプ
タイプ | VCE | IC | VCEsat,Tj=25℃ | チョップ | パッケージ |
DGA75H120M2T | 1200V | 75A(Tj=100℃) | 2.0V (標準値) | 175℃ | 34MM |
江蘇東海半導体有限公司は、2004 年 12 月に江蘇省無錫市新呉区朔方中通東路 88 号に設立されました。面積は15000平方メートルです。登録資本金は8,150万元です。年間5億電力の生産ラインを持っています。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔芳鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔芳鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔芳鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔芳鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔芳鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。