Dimensioni: 建议图fotoimmagine 150px*50px 
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| Quantità: | |
|---|---|
DGA75H120M2T
WXDH
75A 1200V Modulo mezzo ponte
1 Descrizione
Questi transistor bipolari a gate isolato utilizzavano un design avanzato con tecnologia trench e Fieldstop, fornivano eccellenti V CEsat e velocità di commutazione, bassa carica di gate.Che è conforme allo standard RoHS.
2 Caratteristiche
● Tecnologia FS Trench, coefficiente di temperatura positivo
● Bassa tensione di saturazione: V CE(sat) , tipica = 2,0 V @ I C = 75 A e T j = 25°C
● Capacità valanghe estremamente migliorata
3 Applicazioni
Saldatura
Gruppo di continuità
Inverter a tre livelli
Amplificatore servoazionamento CA e CC
| Tipo | VCE | Circuito integrato | VCEsat,Tj=25℃ | Tjop | Pacchetto |
| DGA75H120M2T | 1200 V | 75A (Tj=100℃) | 2,0 V (tip.) | 175 ℃ | 34MM |
75A 1200V Modulo mezzo ponte
1 Descrizione
Questi transistor bipolari a gate isolato utilizzavano un design avanzato con tecnologia trench e Fieldstop, fornivano eccellenti V CEsat e velocità di commutazione, bassa carica di gate.Che è conforme allo standard RoHS.
2 Caratteristiche
● Tecnologia FS Trench, coefficiente di temperatura positivo
● Bassa tensione di saturazione: V CE(sat) , tipica = 2,0 V @ I C = 75 A e T j = 25°C
● Capacità valanghe estremamente migliorata
3 Applicazioni
Saldatura
Gruppo di continuità
Inverter a tre livelli
Amplificatore servoazionamento CA e CC
| Tipo | VCE | Circuito integrato | VCEsat,Tj=25℃ | Tjop | Pacchetto |
| DGA75H120M2T | 1200 V | 75A (Tj=100℃) | 2,0 V (tip.) | 175 ℃ | 34MM |
