Առկայություն՝ | |
---|---|
Քանակ. | |
DGA75H120M2T
WXDH
75A 1200V Կիսամուրջ մոդուլ
1 Նկարագրություն
Այս Մեկուսացված դարպասի երկբևեռ տրանզիստորը օգտագործեց առաջադեմ խրամուղի և Fieldstop տեխնոլոգիայի ձևավորում, ապահովեց գերազանց V CEsat և միացման արագություն, դարպասի ցածր լիցքավորում:Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին:
2 Հատկանիշներ
● FS Trench Technology, Դրական ջերմաստիճանի գործակից
● Հագեցվածության ցածր լարում. V CE(sat) , typ = 2.0V @ I C =75A և T j = 25°C
● Չափազանց ուժեղացված ավալանշի հնարավորությունը
3 Կիրառություն
Եռակցում
UPS
Եռաստիճան ինվերտոր
AC և DC servo drive ուժեղացուցիչ
Տիպ | VCE | Հասկանալի է | VCEsat,Tj=25℃ | Տյոպ | Փաթեթ |
DGA75H120M2T | 1200 Վ | 75A (Tj=100℃) | 2.0 Վ (Տիպ) | 175℃ | 34 մմ |
75A 1200V Կիսամուրջ մոդուլ
1 Նկարագրություն
Այս Մեկուսացված դարպասի երկբևեռ տրանզիստորը օգտագործեց առաջադեմ խրամուղի և Fieldstop տեխնոլոգիայի ձևավորում, ապահովեց գերազանց V CEsat և միացման արագություն, դարպասի ցածր լիցքավորում:Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին:
2 Հատկանիշներ
● FS Trench Technology, Դրական ջերմաստիճանի գործակից
● Հագեցվածության ցածր լարում. V CE(sat) , typ = 2.0V @ I C =75A և T j = 25°C
● Չափազանց ուժեղացված ավալանշի հնարավորությունը
3 Կիրառություն
Եռակցում
UPS
Եռաստիճան ինվերտոր
AC և DC servo drive ուժեղացուցիչ
Տիպ | VCE | Հասկանալի է | VCEsat,Tj=25℃ | Տյոպ | Փաթեթ |
DGA75H120M2T | 1200 Վ | 75A (Tj=100℃) | 2.0 Վ (Տիպ) | 175℃ | 34 մմ |
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.-ն հիմնադրվել է 2004 թվականի դեկտեմբերին, որը գտնվում է Ցզյանսու նահանգի Վուսի քաղաքի Չժոնգթոնգ Արևելյան ճանապարհի Շուոֆանգի Սինվու շրջանի թիվ 88 հասցեում:Այն զբաղեցնում է 15000մ2 տարածք։Գրանցված կապիտալը կազմում է 81,5 մլն յուան։Այն ունի տարեկան 500 մլն էլեկտրաէներգիայի հոսքագիծ
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.-ն, որը հիմնադրվել է 2004թ. դեկտեմբերին, գտնվում է Ցզյանսու նահանգի Վուսի քաղաքի Արևելյան Չժոնգթոն ճանապարհի Շուոֆանգ քաղաքում, Սինվու շրջանի թիվ 88 հասցեում:15,000 քառակուսի մետր տարածքով և 81,50 միլիոն յուան գրանցված կապիտալով, այն բարձր տեխնոլոգիական ձեռնարկություն է:
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.-ն, որը հիմնադրվել է 2004թ. դեկտեմբերին, գտնվում է Ցզյանսու նահանգի Վուսի քաղաքի Արևելյան Չժոնգթոն ճանապարհի Շուոֆանգ քաղաքում, Սինվու շրջանի թիվ 88 հասցեում:15,000 քառակուսի մետր տարածքով և 81,50 միլիոն յուան գրանցված կապիտալով, այն բարձր տեխնոլոգիական ձեռնարկություն է:
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.-ն, որը հիմնադրվել է 2004թ. դեկտեմբերին, գտնվում է Ցզյանսու նահանգի Վուսի քաղաքի Արևելյան Չժոնգթոն ճանապարհի Շուոֆանգ քաղաքում, Սինվու շրջանի թիվ 88 հասցեում:15,000 քառակուսի մետր տարածքով և 81,50 միլիոն յուան գրանցված կապիտալով, այն բարձր տեխնոլոգիական ձեռնարկություն է:
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.-ն, որը հիմնադրվել է 2004թ. դեկտեմբերին, գտնվում է Ցզյանսու նահանգի Վուսի քաղաքի Արևելյան Չժոնգթոն ճանապարհի Շուոֆանգ քաղաքում, Սինվու շրջանի թիվ 88 հասցեում:15,000 քառակուսի մետր տարածքով և 81,50 միլիոն յուան գրանցված կապիտալով, այն բարձր տեխնոլոգիական ձեռնարկություն է:
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.-ն, որը հիմնադրվել է 2004թ. դեկտեմբերին, գտնվում է Ցզյանսու նահանգի Վուսի քաղաքի Արևելյան Չժոնգթոն ճանապարհի Շուոֆանգ քաղաքում, Սինվու շրջանի թիվ 88 հասցեում:15,000 քառակուսի մետր տարածքով և 81,50 միլիոն յուան գրանցված կապիտալով, այն բարձր տեխնոլոգիական ձեռնարկություն է: